[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

说明书

实施例器件包括：第一鳍，从隔离区域突出；第二鳍，从隔离区域突出；第一鳍间隔件，位于第一鳍中的一个的第一侧壁上，第一鳍间隔件设置在隔离区域上，第一鳍间隔件具有第一间隔件高度；第二鳍间隔件，位于第二鳍中的一个的第二侧壁上，第二鳍间隔件设置在隔离区域上，第二鳍间隔件具有第二间隔件高度，第一间隔件高度大于第二间隔件高度；第一外延源极/漏极区域，位于第一鳍间隔件上和第一鳍中，第一外延源极/漏极区域具有第一宽度；以及第二外延源极/漏极区域，位于第二鳍间隔件上和第二鳍中，第二外延源极/漏极区域具有第二宽度，第一宽度大于第二宽度。本申请的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如例如，个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积材料的绝缘层或介电层、导电层和半导体层并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定区域中。但是，随着最小部件尺寸的减小，出现了应解决的额外的问题。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一鳍，从隔离区域突出；第二鳍，从所述隔离区域突出；第一鳍间隔件，位于所述第一鳍中的一个的第一侧壁上，所述第一鳍间隔件设置在所述隔离区域上，所述第一鳍间隔件具有第一间隔件高度；第二鳍间隔件，位于所述第二鳍中的一个的第二侧壁上，所述第二鳍间隔件设置在所述隔离区域上，所述第二鳍间隔件具有第二间隔件高度，所述第一间隔件高度大于所述第二间隔件高度；第一外延源极/漏极区域，位于所述第一鳍间隔件上和所述第一鳍中，所述第一外延源极/漏极区域具有第一宽度；以及第二外延源极/漏极区域，位于所述第二鳍间隔件上和所述第二鳍中，所述第二外延源极/漏极区域具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一鳍，从衬底延伸；多个第二鳍，从所述衬底延伸；第一外延源极/漏极区域，位于所述第一鳍中，所述第一外延源极/漏极区域具有第一宽度；第二外延源极/漏极区域，位于所述第二鳍中，所述第二外延源极/漏极区域具有第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度；第一鳍间隔件，位于所述第一外延源极/漏极区域和所述第一鳍的第一侧壁上，所述第一鳍间隔件具有第一间隔件高度；以及第二鳍间隔件，位于所述第二外延源极/漏极区域和所述第二鳍中的一个的第二侧壁上，所述第二鳍间隔件具有第二间隔件高度，所述第一间隔件高度大于所述第二间隔件高度。

本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成从隔离区域突出的第一鳍和第二鳍；在所述第一鳍上沉积第一介电层；在所述第二鳍上沉积第二介电层；图案化所述第一介电层，以形成与所述第一鳍相邻并且位于所述隔离区域上的第一鳍间隔件，所述第一鳍间隔件具有第一间隔件高度；图案化所述第二介电层，以形成与所述第二鳍相邻并且位于所述隔离区域上的第二鳍间隔件，所述第二鳍间隔件具有第二间隔件高度，所述第一间隔件高度大于所述第二间隔件高度；在所述第一鳍中和所述第一鳍间隔件上生长第一外延源极/漏极区域，所述第一外延源极/漏极区域具有第一宽度；以及在所述第二鳍中和所述第二鳍间隔件上生长第二外延源极/漏极区域，所述第二外延源极/漏极区域具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的三维视图中的FinFET的实例。

图2至图17B是根据一些实施例的在制造FinFET中的中间阶段的各个视图。

图18A和图18B是根据一些实施例的FinFET的各个视图。