[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一鳍，从隔离区域突出；

第二鳍，从所述隔离区域突出；

第一鳍间隔件，位于所述第一鳍中的一个的第一侧壁上，所述第一鳍间隔件设置在所述隔离区域上，所述第一鳍间隔件具有第一间隔件高度；

第二鳍间隔件，位于所述第二鳍中的一个的第二侧壁上，所述第二鳍间隔件设置在所述隔离区域上，所述第二鳍间隔件具有第二间隔件高度，所述第一间隔件高度大于所述第二间隔件高度；

第一外延源极/漏极区域，位于所述第一鳍间隔件上和所述第一鳍中，所述第一外延源极/漏极区域具有第一宽度；以及

第二外延源极/漏极区域，位于所述第二鳍间隔件上和所述第二鳍中，所述第二外延源极/漏极区域具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外延源极/漏极区域包括p型掺杂剂，并且所述第二外延源极/漏极区域包括n型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一间隔件高度与所述第二间隔件高度的比率在1至2的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外延源极/漏极区域具有凸顶面，并且所述第二外延源极/漏极区域具有凹顶面。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一外延源极/漏极区域的所述凸顶面在所述第一鳍的第一顶面之上升高第一升高高度，所述第二外延源极/漏极区域的所述凹顶面在所述第二鳍的第二顶面之上升高第二升高高度，并且所述第一升高高度大于所述第二升高高度。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一升高高度与所述第二升高高度的比率在1.5至2的范围内。

7.一种半导体器件，包括：

第一鳍，从衬底延伸；

多个第二鳍，从所述衬底延伸；

第一外延源极/漏极区域，位于所述第一鳍中，所述第一外延源极/漏极区域具有第一宽度；

第二外延源极/漏极区域，位于所述第二鳍中，所述第二外延源极/漏极区域具有第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度；

第一鳍间隔件，位于所述第一外延源极/漏极区域和所述第一鳍的第一侧壁上，所述第一鳍间隔件具有第一间隔件高度；以及

第二鳍间隔件，位于所述第二外延源极/漏极区域和所述第二鳍中的一个的第二侧壁上，所述第二鳍间隔件具有第二间隔件高度，所述第一间隔件高度大于所述第二间隔件高度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一外延源极/漏极区域包括p型掺杂剂，并且所述第二外延源极/漏极区域包括n型掺杂剂。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一宽度与所述第二宽度的比率在0.3至0.45的范围内。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成从隔离区域突出的第一鳍和第二鳍；

在所述第一鳍上沉积第一介电层；

在所述第二鳍上沉积第二介电层；

图案化所述第一介电层，以形成与所述第一鳍相邻并且位于所述隔离区域上的第一鳍间隔件，所述第一鳍间隔件具有第一间隔件高度；

图案化所述第二介电层，以形成与所述第二鳍相邻并且位于所述隔离区域上的第二鳍间隔件，所述第二鳍间隔件具有第二间隔件高度，所述第一间隔件高度大于所述第二间隔件高度；

在所述第一鳍中和所述第一鳍间隔件上生长第一外延源极/漏极区域，所述第一外延源极/漏极区域具有第一宽度；以及

在所述第二鳍中和所述第二鳍间隔件上生长第二外延源极/漏极区域，所述第二外延源极/漏极区域具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。