[发明专利]紫外发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 202110562118.3 申请日: 2021-05-24
公开(公告)号: CN113036024B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 至芯半导体(杭州)有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/54
代理公司: 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 代理人: 彭随丽
地址: 311200 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 紫外 发光二极管 封装 结构
【说明书】:

发明公开了一种紫外发光二极管封装结构,包括:陶瓷基板、反光围板、二极管芯片和透镜,所述反光围板为内壁为倒锥形的桶状结构,其一端与所述陶瓷基板固定连接,另一端与所述透镜连接;所述二极管芯片固定于所述陶瓷基板设置有反光围板的一侧的中心部位;所述陶瓷基板的边沿电镀有定位柱,所述反光围板的边沿开设有定位孔,所述定位柱和所述定位孔一一对应,通过在所述定位孔、定位柱及其周围涂抹粘合剂并采用将所述定位孔和所述定位柱相互结合的方式使所述反光围板和所述陶瓷基板固定在一起。

技术领域

本发明涉及LED封装技术领域,具体涉及一种紫外发光二极管封装结构。

背景技术

深紫外发光二极管(UVC LED)具有可靠性高、寿命长,反应快,功耗低,环保无污染,传输保密性高,体型小,被广泛应用于消毒杀菌,光学传感器,化学和生物分析等领域。

目前,现有的深紫外发光二极的管封装结构中,普遍采用陶瓷基板电镀围坝成型工艺支架,围坝边缘与陶瓷基板为垂直与围坝正面平面结构,再将深紫外发光二极焊与支架焊接到一起,透镜与支架围坝正面平面通过粘合一起,从而使深紫外发光二极保护在透镜与支架形成的密闭腔体中。

采用现有的深紫外发光二极的管封装结构,深紫外发光二极芯片发光时,光线照射整个围坝腔体在腔体发射,由于垂直围坝结构,造成反射到透镜的光线损失,从而降低了深紫外发光二极芯片发光时的辐射通量利用率。

现有技术中,将出围板下表面与陶瓷基板上表面整体电镀结合的方式,工艺难度大,成本高,产品良好率低。

采用现有的深紫外发光二极的管封装结构,透镜与围坝正面的粘合接触面积小,没有受力支撑点对透镜的保护,在透镜收到外力时,很容易造成透镜脱落的情况,影响深紫外封装器件的使用。

发明内容

本发明的目的在于解决上述背景技术中的至少一个问题,提供一种紫外发光二极管封装结构。

为实现上述目的,本发明提出一种紫外发光二极管封装结构,包括:陶瓷基板、反光围板、二极管芯片和透镜,所述反光围板为内壁为倒锥形的桶状结构,其一端与所述陶瓷基板固定连接,另一端与所述透镜连接;所述二极管芯片固定于所述陶瓷基板设置有反光围板的一侧的中心部位;所述陶瓷基板的边沿电镀有定位柱,所述反光围板的边沿开设有定位孔,所述定位柱和所述定位孔一一对应。

进一步的,本发明通过在所述定位孔、定位柱及其周围涂抹粘合剂并采用将所述定位孔和所述定位柱相互结合的方式使所述反光围板和所述陶瓷基板固定在一起。

进一步的,所述反光围板的内壁采用抛光处理或镀高反射材料。

进一步的,所述反光围板与所述透镜连接的一侧设有沟槽。

进一步的,所述反光围板与所述透镜连接的一侧设有台阶结构,用于安放所述透镜。

进一步的,所述二极管芯片的两极焊接有焊接盘,所述焊接盘一端与所述二极管芯片焊接,另一端与所述陶瓷基板焊接。

进一步的,所述紫外发光二极管封装结构,还包括两个焊接引脚,所述两个焊接引脚分别嵌入在所述陶瓷基板远离二极管芯片的一侧的两端。

进一步的,所述紫外发光二极管封装结构,还包括保护芯片,所述保护芯片焊接于所述两个焊接盘,与所述二极管芯片并联。

进一步的,所述陶瓷基板内部具有通孔结构,所述两个焊接盘通过所述通孔结构与相邻的所述焊接引脚通过导电材料连接。

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