[发明专利]显示面板及其制备方法有效
申请号: | 202110560461.4 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113327935B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 戴晨 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种显示面板及其制备方法,所述显示面板包括:基板;第一金属层,设置于所述基板上,包括相互间隔设置的第一金属层一部与第一金属层二部;缓冲层,设置于所述第一金属层上;薄膜晶体管器件层,设置于所述缓冲层上,包括有源层,栅极层以及源漏电极层,所述源漏电极层包括源极与漏极;其中,所述源极与第一金属层一部电性连接,所述漏极所述第一金属层二部电性连接,在数据信号写入或释放时,所述第一金属层一部或第一金属层二部对有源层形成电场,从而降低了源漏极与有源层的接触电阻,进而有效提高了显示面板数据信号写入和释放的效率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)显示器是一种电流型的有机发光器件,是通过载流子的注入和复合而实现发光,因其具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、发光效率高、柔性好,能满足消费者对显示形态的新需求等优点,全球越来越多的面板厂家纷纷对此投入大量的研发,大大的推动了OLED的产业化进程。
在OLED显示面板工作时,无论是在信号写入还是信号擦除过程中,开关薄膜晶体管(Switching TFT)都处于线性区工作,因为源极与漏极之间的电压较低,对源极或漏极与有源层之间的接触电阻比较敏感,当该接触电阻过高,易导致数据信号(Vdata)写入效率低甚至无法写入。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法,该显示面板可解决因源极或漏极与有源层之间的接触电阻过高而导致数据信号写入效率低甚至无法写入的问题。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供了一种显示面板,所述显示面板包括:
基板;
第一金属层,设置于所述基板上,包括相互间隔设置的第一金属层一部与第一金属层二部;
缓冲层,设置于所述第一金属层上;
薄膜晶体管器件层,设置于所述缓冲层上,包括有源层,栅极层以及源漏电极层,所述源漏电极层包括源极与漏极;
其中,所述源极与所述有源层以及所述第一金属层一部分别电性连接,所述漏极与所述有源层以及所述第一金属层二部分别电性连接,且,所述源极与所述有源层的连接区域在所述基板上的正投影至少部分地落入所述第一金属层一部在所述基板上的正投影内,所述漏极与所述有源层的连接区域在所述基板上的正投影至少部分地落入所述第一金属层二部在所述基板上的正投影内。
在本发明一实施例提供的显示面板中,所述源极与所述有源层的连接区域在所述基板上的正投影完全落入所述第一金属层一部在所述基板上的正投影内,所述漏极与所述有源层的连接区域在所述基板上的正投影完全落入所述第一金属层二部在所述基板上的正投影内。
在本发明一实施例提供的显示面板中,所述有源层包括沟道区,以及分别连接于所述沟道区两侧的第一导体化区与第二导体化区,所述源极与所述第一导体化区电性连接,所述漏极与所述第二导体化区电性连接。
在本发明一实施例提供的显示面板中,所述第一金属层一部与所述第一金属层二部之间的间隔区域对应所述沟道区设置。
在本发明一实施例提供的显示面板中,所述沟道区在所述基板上的正投影落入所述第一金属层一部与所述第一金属层二部之间的间隔区域在所述基板上的正投影内。
在本发明一实施例提供的显示面板中,所述显示面板还包括设置于所述基板与所述第一金属层之间的绝缘层与第二金属层,所述第一金属层一部与所述第一金属层二部的间隔区域在所述基板的正投影落入所述第二金属层在所述基板上的正投影内。
在本发明一实施例提供的显示面板中,所述第一金属层还包括设置于所述第一金属层一部与第一金属层二部之间的第一金属层三部,且所述第一金属层三部与所述第一金属层一部与第一金属层二部分别间隔设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的