[发明专利]显示面板及其制备方法有效
| 申请号: | 202110560461.4 | 申请日: | 2021-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN113327935B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | 戴晨 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
基板;
第一金属层,设置于所述基板上,包括相互间隔设置的第一金属层一部与第一金属层二部;
缓冲层,设置于所述第一金属层上;
薄膜晶体管器件层,设置于所述缓冲层上,包括有源层,栅极层以及源漏电极层,所述源漏电极层包括源极与漏极;
其中,所述源极与所述有源层以及所述第一金属层一部分别电性连接,所述漏极与所述有源层以及所述第一金属层二部分别电性连接,且,所述源极与所述有源层的连接区域在所述基板上的正投影完全落入所述第一金属层一部在所述基板上的正投影内,所述漏极与所述有源层的连接区域在所述基板上的正投影完全落入所述第一金属层二部在所述基板上的正投影内。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源层包括沟道区,以及分别连接于所述沟道区两侧的第一导体化区与第二导体化区,所述源极与所述第一导体化区电性连接,所述漏极与所述第二导体化区电性连接。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层一部与所述第一金属层二部之间的间隔区域对应所述沟道区设置。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述沟道区在所述基板上的正投影落入所述第一金属层一部与所述第一金属层二部之间的间隔区域在所述基板上的正投影内。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述基板与所述第一金属层之间的绝缘层与第二金属层,所述第一金属层一部与所述第一金属层二部的间隔区域在所述基板的正投影落入所述第二金属层在所述基板上的正投影内。
6.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层还包括设置于所述第一金属层一部与所述第一金属层二部之间的第一金属层三部,且所述第一金属层三部与所述第一金属层一部与所述第一金属层二部分别间隔设置。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层一部与所述第一金属层三部之间的间隔区域对应所述第一导体化区设置,所述第一金属层二部与所述第一金属层三部之间的间隔区域对应所述第二导体化区设置。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层的材料选自铜、钼与铝中的至少一种。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
S10:提供一基板,在所述基板上形成第一金属层,所述第一金属层包括相互间隔设置的第一金属层一部与第一金属层二部;
S20:在所述第一金属层上形成缓冲层;
S30:在所述缓冲层上形成薄膜晶体管器件层,所述薄膜晶体管器件层包括有源层,栅极层以及源漏电极层,所述源漏电极层包括源极与漏极;
其中,所述源极与所述有源层以及所述第一金属层一部分别电性连接,所述漏极与所述有源层以及所述第一金属层二部分别电性连接,且,所述源极与所述有源层的连接区域在所述基板上的正投影完全落入所述第一金属层一部在所述基板上的正投影内,所述漏极与所述有源层的连接区域在所述基板上的正投影完全落入所述第一金属层二部在所述基板上的正投影内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





