[发明专利]一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机

说明书

本发明公开了一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机，包括外框和夹紧框，所述夹紧框上表面固定连接有滑块框，所述滑块框内滑动连接有滑块，所述夹紧框内设有使晶圆夹紧的夹紧机构，所述外框的顶部固定连接有电机，所述电机的输出轴穿过外框并固定连接有安装轴，所述安装轴的底部穿过并固定连接有斜圆柱，所述安装轴的底部内侧花键连接有弹簧块，所述弹簧块穿过安装轴底面并与滑块固定连接，所述夹紧框上设有使晶圆振动的振动机构，所述振动机构包括底座和第四弹簧，所述第四弹簧套设在弹簧块表面，且所述第四弹簧位于弹簧块与安装轴内底面之间。本发明初步清除表面反应物时所产生的振动效果显著，使后续的清除效率提高。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，具体为一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机。

背景技术

等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪和等离子清洗系统等；等离子刻蚀是一种通过等离子体引起的化学反应和轰击产生的物理反应对待刻蚀件进行刻蚀的装置，是干法刻蚀中最常见的一种形式；晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出第一固定块(12)英寸甚至研发更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。

现有技术公开了一种专利号为CN108682637B的一种半导体芯片等离子刻蚀机，包括箱体、振动装置、旋转装置、夹紧装置、加热器、抽吸装置、激励线圈、送气装置、偏压提供装置，所述偏压提供装置用于给晶圆施加偏压；所述振动装置用于使晶圆振动；所述旋转装置通过夹持装置带动晶圆旋转；所述抽吸装置用于除去晶圆反应表面的反应产物；所述激励线圈用于把反应气体电离；所述送气装置用于输送反应气体，再把反应气体均匀的喷洒开。

上述发明通过设置旋转装置，实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击，进而实现提高晶圆的加工质量；通过设置除物板，实现了去除晶圆反应表面产生的反应产物，进而提高反应效率，但在反应物产生的同时，初步清除表面反应物时所产生的振动效果不够显著，使后续的清除效率降低，影响了晶圆的加工。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机，具备初步清除表面反应物时所产生的振动效果显著，使后续的清除效率提高的优点，解决了背景技术中的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机，包括外框和夹紧框，所述夹紧框上表面固定连接有滑块框，所述滑块框内滑动连接有滑块，所述夹紧框内设有使晶圆夹紧的夹紧机构，所述外框的顶部固定连接有电机，所述电机的输出轴穿过外框并固定连接有安装轴，所述安装轴的底部穿过并固定连接有斜圆柱，所述安装轴的底部内侧花键连接有弹簧块，所述弹簧块穿过安装轴底面并与滑块固定连接，所述夹紧框上设有使晶圆振动的振动机构。

所述振动机构包括底座和第四弹簧，所述第四弹簧套设在弹簧块表面，且所述第四弹簧位于弹簧块与安装轴内底面之间，所述底座固定安装在外框的内底部，所述底座靠近右侧的内部开设有弹簧槽，所述弹簧槽内部通过第一弹簧滑动安装有抵杆，所述抵杆的顶部固定连接有抵杆头，所述抵杆头在斜圆柱底面接触，所述抵杆靠近中部的表面固定连接有第二固定块，所述第二固定块内滑动连接有横杆，所述横杆左端固定连接有滑杆，所述滑杆与第二固定块之间的横杆表面套设有第二弹簧，所述夹紧框上表面固定连接有圆形滑轨，所述滑杆底部延伸至圆形滑轨内部并与其滑动连接，所述安装轴表面固定连接有偏心轮，所述偏心轮与滑杆接触。

优选的，所述夹紧机构包括两个夹紧杆，两个所述夹紧杆滑动连接在夹紧框两侧内部，两个所述夹紧杆的相对面上均固定连接有夹紧块，所述夹紧块与夹紧框内壁之间的夹紧杆外壁套设有第三弹簧。