[发明专利]一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机在审
申请号: | 202110559886.3 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113436990A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 赵姣锋 | 申请(专利权)人: | 赵姣锋 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32;B08B7/02;B08B1/00;B08B13/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710100 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 清理 刻蚀 反应物 等离子 | ||
1.一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机,包括外框(2)和夹紧框(7),其特征在于:所述夹紧框(7)上表面固定连接有滑块框(36),所述滑块框(36)内滑动连接有滑块(37),所述夹紧框(7)内设有使晶圆夹紧的夹紧机构,所述外框(2)的顶部固定连接有电机(1),所述电机(1)的输出轴穿过外框(2)并固定连接有安装轴(5),所述安装轴(5)的底部穿过并固定连接有斜圆柱(4),所述安装轴(5)的底部内侧花键连接有弹簧块(22),所述弹簧块(22)穿过安装轴(5)底面并与滑块(37)固定连接,所述夹紧框(7)上设有使晶圆振动的振动机构;
所述振动机构包括底座(9)和第四弹簧(35),所述第四弹簧(35)套设在弹簧块(22)表面,且所述第四弹簧(35)位于弹簧块(22)与安装轴(5)内底面之间,所述底座(9)固定安装在外框(2)的内底部,所述底座(9)靠近右侧的内部开设有弹簧槽(11),所述弹簧槽(11)内部通过第一弹簧(10)滑动安装有抵杆(15),所述抵杆(15)的顶部固定连接有抵杆头(16),所述抵杆头(16)在斜圆柱(4)底面接触,所述抵杆(15)靠近中部的表面固定连接有第二固定块(27),所述第二固定块(27)内滑动连接有横杆(29),所述横杆(29)左端固定连接有滑杆(23),所述滑杆(23)与第二固定块(27)之间的横杆(29)表面套设有第二弹簧(25),所述夹紧框(7)上表面固定连接有圆形滑轨(24),所述滑杆(23)底部延伸至圆形滑轨(24)内部并与其滑动连接,所述安装轴(5)表面固定连接有偏心轮(6),所述偏心轮(6)与滑杆(23)接触。
2.根据权利要求1所述的一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机,其特征在于:所述夹紧机构包括两个夹紧杆(32),两个所述夹紧杆(32)滑动连接在夹紧框(7)两侧内部,两个所述夹紧杆(32)的相对面上均固定连接有夹紧块(34),所述夹紧块(34)与夹紧框(7)内壁之间的夹紧杆(32)外壁套设有第三弹簧(33)。
3.根据权利要求1所述的一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机,其特征在于:所述喷气机构包括传动轴(8)和圆环(14),所述传动轴(8)通过转轴转动连接在底座(9)上表面,所述圆环(14)设置在传动轴(8)内侧,所述圆环(14)下表面通过销轴转动连接有多个弧形块(17),多个所述弧形块(17)与传动轴(8)内壁之间均连接有弧形拉杆(18),所述弧形块(17)内为空腔且其上表面开设有多个出气孔(19),所述弧形块(17)下表面固定安装有进气管(38),所述底座(9)内设有对进气管(38)输送反应气体的送气装置;所述传动轴(8)外壁设有使出气孔(19)均匀对晶圆表面喷气的转动机构。
4.根据权利要求3所述的一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机,其特征在于:所述转动机构包括第一固定块(12)和皮带(13),所述第一固定块(12)固定安装在外框(2)右侧内壁,所述第一固定块(12)上表面通过轴承转动连接有传动杆(31),所述传动杆(31)与传动轴(8)之间通过皮带(13)传动连接,所述传动杆(31)上端表面设有轮齿(30),所述横杆(29)的右端表面开设有齿轮槽(28),所述齿轮槽(28)与轮齿(30)齿轮连接。
5.根据权利要求3所述的一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机,其特征在于:所述弧形块(17)表面设有对刻蚀反应物进行清理的清除装置,所述清除装置包括弧形条(20),所述弧形条(20)固定连接在弧形块(17)表面,所述弧形条(20)表面设有刷毛(21)。
6.根据权利要求4所述的一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机,其特征在于:所述轮齿(30)的高度大于斜圆柱(4)的斜面高度差。
7.根据权利要求1所述的一种可自动清理刻蚀反应物的等离子刻蚀机,其特征在于:所述夹紧框(7)下表面开设有用于气体进入的凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造