[发明专利]接着层结构以及半导体结构有效

专利信息
申请号: 202110559863.2 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113299593B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 罗玉云;黄智楷;吴柏威;杨翔甯 申请(专利权)人: 錼创显示科技股份有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L27/15
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 宋兴;臧建明
地址: 中国台湾新竹科学园*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 接着 结构 以及 半导体
【说明书】:

发明提供一种接着层结构以及半导体结构,半导体结构设置于暂时性载板上,暂时性载板上设置有多个接着层。半导体结构包括接着层结构以及微型发光元件。接着层结构包括修补接着层以及缓冲层。修补接着层设置于暂时性载板上。微型发光元件设置于修补接着层上。缓冲层设置于修补接着层以及微型发光元件之间。修补接着层在暂时性载板的厚度方向上的高度小于这些接着层的高度,且修补接着层的高度以及缓冲层的高度的总和大于或等于这些接着层的高度。

技术领域

本发明涉及一种接着层结构以及半导体结构。

背景技术

在微型发光元件显示面板的制程上,经常需要将多个微型发光元件通过暂时性载板转移至目标基板上,并在目标基板上连接其他元件。暂时性载板也具备例如运送和存储微型发光元件的功能。

然而,这些微型发光元件在其生长时可能出现瑕疵,产生一或多个瑕疵微型发光元件。为了提高生产良率并降低生产成本,亟需发展一种替换这些瑕疵微型发光元件的方法。

发明内容

本发明是针对一种接着层结构以及半导体结构。接着层结构提高瑕疵微型发光元件的替换成功率,半导体结构具备高的生产良率。

根据本发明一实施例,提供一种半导体结构,包括暂时性载板、多个接着层以及多个微型发光元件。这些接着层设置于暂时性载板上。这些微型发光元件分别设置于这些接着层上。这些接着层中的修补接着层在暂时性载板的厚度方向上的高度小于其余接着层的高度。

根据本发明另一实施例,提供一种半导体结构,设置于暂时性载板上,暂时性载板上设置有多个接着层。半导体结构包括微型发光元件以及缓冲层。微型发光元件设置于其中一个接着层上。缓冲层设置于此接着层以及微型发光元件之间,且缓冲层的玻璃化转变温度低于接着层的玻璃化转变温度。

根据本发明再一实施例,提供一种接着层结构,设置于暂时性载板上,接着层结构包括缓冲层以及修补接着层。缓冲层设置于暂时性载板上,以对应接合微型发光元件。修补接着层设置于缓冲层以及暂时性载板之间。缓冲层在暂时性载板的厚度方向上的高度大于或等于修补接着层的高度。

基于上述,本发明实施例提供的接着层结构具备缓冲层以及修补接着层,提高瑕疵微型发光元件的替换成功率。本发明实施例提供的半导体结构以缓冲层接合修补接着层以及微型发光元件,使得半导体结构具备高的生产良率。

附图说明

图1A至图1D是根据本发明一实施例的一种替换瑕疵微型发光元件的流程示意图;

图2A是根据本发明一实施例的半导体结构的示意图;

图2B是根据本发明一实施例的半导体结构的示意图;

图3是根据本发明一实施例的半导体结构的示意图。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

参照图1A至图1D,其示出根据本发明一实施例的一种替换瑕疵微型发光元件的流程示意图。

参照图1A,其所示出的是:在暂时性载板100上设置有多个接着层101A。微型发光元件103分别设置于接着层101A上,于接着层101A上也具有瑕疵微型发光元件103A。瑕疵微型发光元件103A的数量为至少一个。

微型发光元件103以及瑕疵微型发光元件103A皆包括电极组105,电极组105包括第一电极105A以及第二电极105B,第一电极105A以及第二电极105B电性相异,且设置于微型发光元件103的同侧。在本实施例中,暂时性载板100为无电路基板(non-circuitsubstrate)。

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