[发明专利]接着层结构以及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

暂时性载板；

多个接着层，设置于所述暂时性载板上；

多个微型发光元件，分别设置于所述多个接着层上，

其中所述多个接着层中的修补接着层在所述暂时性载板的厚度方向上的高度小于其余接着层的高度；以及

缓冲层，设置于所述修补接着层以及对应的所述微型发光元件之间，其中所述缓冲层在所述暂时性载板的厚度方向上的高度以及所述修补接着层的高度的总和大于其余接着层的高度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的玻璃化转变温度低于所述多个接着层的玻璃化转变温度。

3.一种半导体结构，其特征在于，设置于暂时性载板上，所述暂时性载板上设置有多个接着层，所述半导体结构包括：

微型发光元件，设置于其中一个接着层上；以及

缓冲层，设置于所述接着层以及所述微型发光元件之间，且所述缓冲层的玻璃化转变温度低于所述接着层的玻璃化转变温度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述微型发光元件所对应设置的所述接着层为修补接着层，而所述修补接着层在所述暂时性载板的厚度方向上的高度小于或等于其他接着层的高度，或所述修补接着层及所述缓冲层在所述暂时性载板的厚度方向上的高度的总和大于或等于其他接着层的高度。

5.根据权利要求1或3所述的半导体结构，其特征在于，所述微型发光元件具有电性相异的两电极，且所述两电极设置于所述微型发光元件的同侧或相对侧。

6.根据权利要求1或3所述的半导体结构，其特征在于，所述微型发光元件具有电性相异的两电极，且所述缓冲层接合所述两电极中的至少一个。

7.根据权利要求1或3所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚氨酯、丙烯酸酯聚合物、聚二甲基硅氧烷或其组合。

8.根据权利要求1或4所述的半导体结构，其特征在于，所述修补接着层包括热分解材料或光分解材料。

9.根据权利要求1或4所述的半导体结构，其特征在于，所述修补接着层的材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚氨酯、丙烯酸酯聚合物、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、聚二甲基硅氧烷或其组合。

10.根据权利要求1或3所述的半导体结构，其特征在于，所述暂时性载板为无电路基板。

11.一种接着层结构，其特征在于，设置于暂时性载板上，所述接着层结构包括：

缓冲层，设置于所述暂时性载板上，以对应接合微型发光元件；以及

修补接着层，设置于所述缓冲层以及所述暂时性载板之间，

其中所述缓冲层在所述暂时性载板的厚度方向上的高度大于或等于所述修补接着层的高度。

12.根据权利要求11所述的接着层结构，其特征在于，所述缓冲层的玻璃化转变温度低于所述修补接着层的玻璃化转变温度。

13.根据权利要求11所述的接着层结构，其特征在于，所述暂时性载板上设置有多个接着层，各接着层被设置以对应接合一个微型发光元件，且所述修补接着层在所述暂时性载板的厚度方向上的高度小于各接着层的高度。

14.根据权利要求11所述的接着层结构，其特征在于，所述暂时性载板上设置有多个接着层，各接着层被设置以对应接合一个微型发光元件，且所述修补接着层以及所述缓冲层在所述暂时性载板的厚度方向上的高度的总和大于或等于各接着层的高度。

15.根据权利要求11所述的接着层结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚氨酯、丙烯酸酯聚合物、聚二甲基硅氧烷或其组合。