[发明专利]一种具有功率监测的半桥谐振超声驱动电路在审
申请号: | 202110559809.8 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113114200A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 李可;董军挥;冯海友;朱威桢 | 申请(专利权)人: | 中惠医疗科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人: | 尹均利 |
地址: | 200030 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 功率 监测 谐振 超声 驱动 电路 | ||
1.一种具有功率监测的半桥谐振超声驱动电路,包括调压电路与信号生成电路、与调压电路和信号生成电路电连接的半桥谐振模块、与半桥谐振模块电连接的功率监测模块以及通过输出电路与功率监测模块电连接的超声换能片,其特征在于,所述功率监测模块设置在半桥谐振模块与超声换能片之间,所述功率监测模块还包括:
双定向耦合器,所述双定向耦合器用于获取超声换能片两端的正向传输信号与反射功率信号;
功率检波器,所述功率检波器用于整合正向传输信号与反射功率信号得到功率信号;
AD采样电路,所述AD采样电路用于采集输出电路的正向传输信号和反射功率信号;
通过所述正向传输信号和反射功率信号得到超声驱动电路的电压驻波比。
2.根据权利要求1所述的一种具有功率监测的半桥谐振超声驱动电路,其特征在于,所述半桥谐振模块包括:MOSFET与LC谐振;
所述MOSFET包括:上MOSFET与下MOSFET,其中,所述上MOSFET源极与所述下MOSFET漏极并联并与LC谐振电连接。
3.根据权利要求2所述的一种具有功率监测的半桥谐振超声驱动电路,其特征在于,所述上MOSFET的漏极与电压输入相接并由其作为基准电压。
4.根据权利要求3所述的一种具有功率监测的半桥谐振超声驱动电路,其特征在于,所述半桥谐振模块还包括包括MOSFET驱动器;
所述驱动器用于调节MOSFET,所述MOSFET调节后呈现一个处于开通状态,而另一个处于关断状态。
5.根据权利要求1所述的一种具有功率监测的半桥谐振超声驱动电路,其特征在于,所述信号生成电路的输出传输至LC谐振的信号为同频率下幅值调谐后的方波。
6.根据权利要求1所述的一种具有功率监测的半桥谐振超声驱动电路,其特征在于,所述调压电路包括集成稳压电路和差分合成器,且所述调压电路的输入为直流。
7.根据权利要求5所述的一种具有功率监测的半桥谐振超声驱动电路,其特征在于,所述信号生成电路通过FPGA产生特定频率和延迟的方波。
8.根据权利要求5所述的一种具有功率监测的半桥谐振超声驱动电路,其特征在于,所述信号生成电路通过方波生成芯片产生方波。
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