[发明专利]一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉及叠阵

权利要求书

1.一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉，包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片(1)、上冷却叠片(2)、导流叠片(3)、下冷却叠片(4)和下密封叠片(5)；

所述下密封叠片(5)上设置相互隔离的第一入水口(6)和第一出水口(7)；

所述下冷却叠片(4)上设置相互隔离的第一镂空微结构(8)和第二镂空微结构(9)；所述第一镂空微结构(8)的位置对应于第一入水口(6)；所述第一镂空微结构(8)内设有由若干个筋板构成的冷却通道(10)；所述第二镂空微结构(9)的位置对应于第一出水口(7)；

所述导流叠片(3)上设置相互隔离的第二入水口(11)、第三镂空微结构(12)与导流结构；所述第二入水口(11)的位置对应于第一镂空微结构(8)；所述导流结构的位置对应于若干个冷却通道(10)；

所述上冷却叠片(2)上设有相互隔离的第三入水口(14)、第二出水口(15)、第四镂空微结构(16)；所述第三入水口(14)与第二出水口(15)的位置分别对应于第二入水口(11)、第三镂空微结构(12)；

所述上密封叠片(1)上设置相互隔离第四入水口(18)与第三出水口(19)，其位置分别对应于第三入水口(14)与第二出水口(15)；

其特征在于：

所述第四镂空微结构(16)内，且与导流叠片(3)上导流结构相对应的位置设有热量导引片(17)；

热量导引片(17)采用铜或金刚石或碳化硅制作，包括N个等距排布的筋条，N个等距排布的细筋条构成了N+1个微形通道，筋条的宽度尺寸和微形通道(23)的宽度尺寸均为0.10mm。

2.根据权利要求1所述的一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉，其特征在于：所述导流结构为波浪状的导流槽(13)。

3.根据权利要求2所述的一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉，其特征在于：所述热量导引片(17)的长度为3.20mm。

4.根据权利要求3所述的一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉，其特征在于：所述第四镂空微结构(16)沿着第三入水口(14)两侧并延伸至第二出水口(15)。

5.根据权利要求4所述的一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉，其特征在于：所述第二镂空微结构(9)包括主流通区域(91)、两条相互对称的第一微通道(92)和两条相互对称的第二微通道(93)；

所述主流通区域(91)的位置对应于第一出水口(7)；

所述第一微通道(92)由主流通区域延伸至第一镂空微结构(8)；所述第二微通道(93)由主流通区域(91)延伸至第一微通道(92)边缘，且与第一微通道(91)相隔离；

所述第三镂空微结构(12)与第二镂空微结构(9)完全相同。

6.根据权利要求5所述的一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉，其特征在于：位于热量导引片(17)中部区域的筋条长度逐渐减小。

7.根据权利要求所述6所述的一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉，其特征在于：若干个冷却通道(10)的宽度由中间区域向两边区域依次递减。

8.根据权利要求1-7任一所述的一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉，其特征在于：所述第四入水口(18)与第三出水口(19)的半径相等，所述第一入水口(7)、第二入水口(11)、第三入水口(14)、第一出水口(7)与第二出水口(15)的半径相等，且第四入水口(18)的半径大于第一入水口(7)；

所述第四入水口(18)与第三出水口(19)上设有密封圈，且密封圈的内径与第一入水口的直径相同。