[发明专利]一种具有微发光二极管的晶片

权利要求书

1.一种具有微发光二极管的晶片，包括：

基板(300)，其表面平行间隔设置有若干锚(200)；

芯片(100)，设置在间隔的锚(200)之间形成的空腔(400)内，并通过设置在所述芯片(100)两侧的连接桥(110)与所述锚(200)连接；

其特征在于：M颗所述芯片(100)呈矩阵排布在所述基板(300)上，以N颗芯片(100)为一个基准单元，其中，M为大于或等于2的整数，N为大于或等于1的整数；

相邻两列和/或两行基准单元之间的锚(200)上设置有向内凹陷的槽体结构。

2.根据权利要求1所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：N＝n₁*n₂,其中n₁为所述基准单元中芯片(100)的列数，n₂为所述基准单元中芯片(100)的行数；n₁，n₂均为大于或等于1的整数。

3.根据权利要求1所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述槽体结构包括使锚(200)的上表面完全分离成两个部分的隔断槽(210)、开口设在锚(200)的上表面的孔洞(220)、以及使锚(200)上表面的宽度减小的缺口(230)。

4.根据权利要求3所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述隔断槽(210)在长度方向上的形状为直线形、曲线形或折线形中的一种或多种组合。

5.根据权利要求3所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述隔断槽(210)的宽度为大于等于0.1μm至小于2μm，或者大于等于2μm至小于等于10μm。

6.根据权利要求3所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述隔断槽(210)的深度大于锚厚度的一半。

7.根据权利要求3所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：至少存在一对相邻的两所述孔洞(220)的间距范围为大于等于0.1μm至小于10μm，或者大于10μm至小于等于100μm。

8.根据权利要求3所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述孔洞(220)的深度大于锚厚度的一半。

9.根据权利要求3所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述孔洞(220)的开口形状可为圆形、椭圆形、多边形或不规则形状。

10.根据权利要求9所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述孔洞(220)的开口形状为圆形，且直径范围为大于等于0.1μm至小于2μm，或者大于等于2μm至小于等于10μm。

11.根据权利要求9所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述孔洞(220)的开口形状为椭圆形，且长轴或短轴范围为大于等于0.1μm至小于2μm，或者大于等于2μm至小于等于10μm。

12.根据权利要求9所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述孔洞(220)的开口形状为方形，且孔洞(220)的长度或者宽度的范围为0.1μm至小于2μm，或者大于等于2μm至小于等于10μm。

13.根据权利要求1所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述基准单元里的芯片(100)呈长宽比为0.8-1.2的阵列分布。

14.根据权利要求1所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述连接桥(110)与锚(200)的材质相同或不同。

15.根据权利要求1所述的具有微发光二极管的晶片，其特征在于：所述锚(200)或连接桥(110)的材质为无机介质层、金属或者胶材中的一种。