[发明专利]微发光二极管布局结构及其制作方法在审
申请号: | 202110558169.9 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN115458521A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 周志飙 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/15;G09G3/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 布局 结构 及其 制作方法 | ||
本发明公开一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构及其制作方法,其中该用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构包含多个显示单元在一透明基底排列成一单元阵列、多个微发光二极管设置在每个显示单元的边缘区域并裸露出被该边缘区域所围绕的透光区域、以及像素驱动电路设置在该些微发光二极管正下方的该边缘区域上。
技术领域
本发明涉及一种微发光二极管(micro LED)的布局结构,更具体言之,其涉及一种用于扩增实境(Augmented Reality,AR)与混合实境(Mixed Reality,MR)的微发光二极管布局结构及其相关制作工艺。
背景技术
微发光二极管(micro LED)是近年发展兴起的显示器技术,其特征为微型化LED阵列结构,具有自发光显示特性,每一像素都能单独驱动,具有高亮度、高对比、低耗电、高分辨率及高色彩饱和度等特性。相较于同是自发光的有机发光二极管(OLED)显示器,微发光二极管更具有效率高、寿命长、环境耐受性佳等优势。微发光二极管独特的低功耗、高亮度特性让它非常适合运用在穿戴式的手表、手机、车用显示器、扩增实境(AugmentedReality,AR)/虚拟实境(Virtual Reality,VR)、显示器及电视等领域,已被视为是继过渡的次毫米发光二极管(mini LED)后最具发展潜力的下世代新型显示技术。
基于上述微发光二极管低功耗与高分辨率的特性与优点,目前业界正致力于研究与开发新的微发光二极管结构与相关制作工艺,以期能将其应用在小尺寸穿戴装置与扩增/混合实境(AR/MR,Mixed Reality)装置方面,例如具备扩增/混合实境功能的智能眼镜(smart glass)。然而,目前要将微发光二极管应用在扩增/混合实境的穿戴式装置上还有许多需要克服的技术瓶颈,例如巨量转移(mass transfer)的技术挑战、透光率的改善、微发光二极管镜片、以及与现有CMOS制作工艺的整合性等等。
发明内容
致力于研究与开发微发光二极管(micro LED)在扩增(AR)/混合实境(MR)方面的应用,本发明于此提出了一种新颖的微发光二极管布局结构,其特点在于将微发光二极管设计成排列在每个显示单元的边缘并空出中间的透光区域,以此达到较高的透光率并同时兼具高分辨率与高光效的显示品质。
本发明的其一面向在于提出一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构,包含一透明基底,该透明基底上界定有多个显示单元排列成一单元阵列、多个微发光二极管,设置在每个显示单元的边缘区域并裸露出为边缘区域所围绕的透光区域、以及像素驱动电路,设置在该些微发光二极管正下方的该边缘区域上。
本发明的另一面向在于提出一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构的制作方法,其步骤包含提供一基底,其中该基底上界定有多个显示单元排列成一单元阵列,每个该显示单元包含边缘区域与为该边缘区域所围绕的透光区域、在该基底上的每个显示单元的该边缘区域上形成像素驱动电路与第一透光层、以及在该些边缘区域的该第一透光层上设置多个微发光二极管,该些微发光二极管与下方的该像素驱动电路连接。
本发明的这类目的与其他目的在阅者读过下文中以多种图示与绘图来描述的优选实施例的细节说明后应可变得更为明了显见。
附图说明
本说明书含有附图并于文中构成了本说明书的一部分,使阅者对本发明实施例有进一步的了解。该些图示描绘了本发明一些实施例并连同本文描述一起说明了其原理。在该些图示中:
图1为一搭载本发明具有微发光二极管布局结构的镜片的智能眼镜的示意图;
图2为本发明优选实施例一具有微发光二极管的显示单元的示意图;
图3为本发明优选实施例一具有微发光二极管的单元阵列的示意图;
图4为本发明另一实施例一具有微发光二极管的单元阵列的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的