[发明专利]微发光二极管布局结构及其制作方法在审
申请号: | 202110558169.9 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN115458521A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 周志飙 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/15;G09G3/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 布局 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构,包含:
透明基底,该透明基底上界定有多个显示单元排列成单元阵列;
多个微发光二极管,设置在每个显示单元的边缘区域并裸露出为边缘区域所围绕的透光区域;以及
像素驱动电路,设置在该些微发光二极管正下方的该边缘区域上。
2.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构,其中该些微发光二极管围住整个该透光区域。
3.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构,其中该些显示单元彼此邻接。
4.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构,其中该些显示单元彼此间隔一间距。
5.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构,其中每四个该些微发光二极管排列成一个正方形的迷你阵列,该些迷你阵列彼此间隔设置在每个该显示单元的该边缘区域上。
6.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构,其中该透明基底为镜片,该镜片具有周边区域以及被该周边区域围绕的中间区域,该单元阵列设置在该中间区域上。
7.如权利要求6所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构,还包含发光二极管驱动电路以及逻辑电路设置在该周边区域上并与该像素驱动电路连接。
8.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构,其中该些微发光二极管包含红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色的微发光二极管,每个该微发光二极管作为子像素,每一组红(R)、绿(G)、蓝(B)的该些微发光二极管构成像素。
9.一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构的制作方法,包含:
提供基底,其中该基底上界定有多个显示单元排列成单元阵列,每个该显示单元包含边缘区域与为该边缘区域所围绕的透光区域;
在该基底上的每个显示单元的该边缘区域上形成像素驱动电路与第一透光层;以及
在该些边缘区域的该第一透光层上设置多个微发光二极管,该些微发光二极管与下方的该像素驱动电路连接。
10.如权利要求9所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构的制作方法,还包含:
在该些微发光二极管以及该第一透光层的正面上形成第二透光层;
在该第二透光层中形成多个凹槽,其中每个该微发光二极管会与一个该凹槽重叠;
在该第二透光层上形成透镜层,其中该透镜层填满该些凹槽;以及
对该透镜层进行固化制作工艺,以在每个该凹槽上的该透镜层上形成微透镜结构。
11.如权利要求10所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构的制作方法,其中位于该透光区域上的该些凹槽与位于该边缘区域上的该些凹槽的宽度与深度不同。
12.如权利要求9所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构的制作方法,还包含:
薄化该基底;
移除位于该透光区域的该基底;以及
在该基底与该透光层的背面上形成保护层。
13.如权利要求9所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构的制作方法,其中该第一透光层、该第二透光层、该些微透镜结构以及该保护层构成镜片,该镜片具有周边区域以及被该周边区域围绕的中间区域,该些微发光二极管与该像素驱动电路位于该镜片中,且该单元阵列设置在该中间区域上。
14.如权利要求13所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构的制作方法,还包含在该周边区域上制作与该像素驱动电路连接的发光二极管驱动电路以及逻辑电路。
15.如权利要求14所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构的制作方法,其中该发光二极管驱动电路以及该逻辑电路在与该像素驱动电路相同的互补式金属氧化物半导体制作工艺中形成。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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