[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

提供了半导体器件。半导体器件包括位于衬底内的第一深沟槽隔离(DTI)结构。第一DTI结构包括阻挡结构、介电结构和铜结构。介电结构位于阻挡结构和铜结构之间。阻挡结构位于衬底和介电结构之间。本申请的实施例还提供了用于形成半导体器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于多种电子器件中，诸如移动电话、笔记本电脑、台式机、平板电脑、手表、游戏系统以及各种其它工业、商业和消费电子产品。半导体器件通常包括半导体部分和形成在半导体部分内部的布线部分。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一深沟槽隔离(DTI)结构，位于衬底内，其中：所述第一深沟槽隔离结构包括阻挡结构、介电结构和铜结构；所述介电结构位于所述阻挡结构和所述铜结构之间；以及所述阻挡结构位于所述衬底和所述介电结构之间。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：光电二极管，位于衬底内；第一介电层，位于所述衬底上面，其中：所述第一介电层的第一部分位于所述光电二极管上面；所述第一介电层的所述第一部分具有锥形侧壁；以及所述衬底的第一部分将所述第一介电层的所述第一部分与所述光电二极管分隔开；以及第一深沟槽隔离(DTI)结构，其中：所述第一深沟槽隔离结构包括阻挡结构、介电结构和铜结构；所述介电结构位于所述阻挡结构和所述铜结构之间；以及所述阻挡结构位于所述衬底和所述介电结构之间。

本申请的又一些实施例提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一介电层；形成延伸穿过所述第一介电层并且至所述衬底中的第一沟槽；在所述第一介电层上方和所述第一沟槽中形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上方和所述第一沟槽中形成第二介电层；以及在所述第二介电层上方和所述第一沟槽中形成第一铜层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图5示出了根据一些实施例的处于各个制造阶段的半导体器件的截面图。

图6A示出了根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件的截面图。

图6B示出了根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件的截面图。

图7A示出了根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件的截面图。

图7B示出了根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件的截面图。

图8至图10示出了根据一些实施例的处于各个制造阶段的半导体器件的截面图。

图11A示出了根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件的顶视图。

图11B示出了根据一些实施例的沿图11A的线B-B截取的半导体器件的截面图。

图12至图14示出了根据一些实施例的处于各个制造阶段的半导体器件的截面图。

图15A示出了根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件的截面图。

图15B示出了根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件的截面图。

图15C示出了根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件的截面图。

图16至图17示出了根据一些实施例的处于各个制造阶段的半导体器件的截面图。

图18A示出了根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件的截面图。

图18B示出了根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件的截面图。

具体实施方式