[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一深沟槽隔离(DTI)结构，位于衬底内，其中：

所述第一深沟槽隔离结构包括阻挡结构、介电结构和铜结构；

所述介电结构位于所述阻挡结构和所述铜结构之间；以及

所述阻挡结构位于所述衬底和所述介电结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述介电结构的热膨胀系数在2.5至16之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述介电结构包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪或氟化硅玻璃中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述阻挡结构包括氧化铝、氧化铪或氮化钽中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：

第一介电层，位于所述衬底上面，其中，所述第一介电层的第一部分具有与所述阻挡结构的第一侧壁的第一部分对准的第一侧壁。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述第一介电层的第二部分具有与所述衬底的第一部分的锥形侧壁对准的锥形侧壁。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：

光电二极管，位于所述衬底内，其中，所述第一深沟槽隔离结构从所述光电二极管横向偏移。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，包括：

第二深沟槽隔离结构，位于所述衬底内并且从所述光电二极管横向偏移，其中：

所述光电二极管位于所述第一深沟槽隔离结构和所述第二深沟槽隔离结构之间。

9.一种半导体器件，包括：

光电二极管，位于衬底内；

第一介电层，位于所述衬底上面，其中：

所述第一介电层的第一部分位于所述光电二极管上面；

所述第一介电层的所述第一部分具有锥形侧壁；以及

所述衬底的第一部分将所述第一介电层的所述第一部分与所述光电二极管分隔开；以及

第一深沟槽隔离(DTI)结构，其中：

所述第一深沟槽隔离结构包括阻挡结构、介电结构和铜结构；

所述介电结构位于所述阻挡结构和所述铜结构之间；以及

所述阻挡结构位于所述衬底和所述介电结构之间。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成第一介电层；

形成延伸穿过所述第一介电层并且至所述衬底中的第一沟槽；

在所述第一介电层上方和所述第一沟槽中形成第一阻挡层；

在所述第一阻挡层上方和所述第一沟槽中形成第二介电层；以及

在所述第二介电层上方和所述第一沟槽中形成第一铜层。