[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110557486.9 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113745185A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 川原一浩;关根敏孝;中村宏之 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L25/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

提供耐湿性高的半导体装置。半导体装置(100A)具有半导体集成电路(10)、引线框(601、622)、模塑树脂(9)。模塑树脂(9)覆盖半导体集成电路(10)。半导体集成电路(10)至少具有端子(VUB、VUS)。引线框(601)与端子(VUB)连接。引线框(622)与端子(VUS)连接。模塑树脂(9)使引线框(601)的局部(91)露出地进一步覆盖引线框(601)。模塑树脂(9)使引线框(622)的与端子(VUS)相反侧的前端露出地进一步覆盖引线框(622)。模塑树脂(9)包含凹部(141),凹部(141)以仅使局部(91)及模塑树脂(9)露出的方式开口。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

半导体集成电路被模塑树脂覆盖的半导体装置广为人知。该半导体装置包含与半导体集成电路连接的引线框。该引线框的与半导体集成电路相反侧的前端从模塑树脂露出。露出的引线框的前端作为半导体装置所具有的引脚起作用。

模塑树脂使引线框的除了前端之外的部位露出的结构也广为人知。例如在专利文献1中,在模塑树脂设置3个凹部,端子在该凹部的每一者处露出。

该端子用于具有对电源噪声进行抑制的功能的去耦电容器。在专利文献1中例示出在凹部的每一者处设置一对端子的情况。

专利文献1:日本特开平6-125035号公报

就半导体装置而言,模塑树脂使导电部件露出的位置越少则半导体装置的耐湿性越高。

发明内容

本发明的目的在于提供耐湿性高的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置具有:第1半导体集成电路,其至少具有第1端子和第2端子;第1引线框,其与所述第1端子连接;第2引线框,其与所述第2端子连接;以及模塑树脂,其覆盖所述第1半导体集成电路。所述模塑树脂使所述第1引线框的局部露出地进一步覆盖所述第1引线框。所述模塑树脂使所述第2引线框的与所述第2端子相反侧的前端露出地进一步覆盖所述第2引线框。所述模塑树脂包含凹部,所述凹部以仅使所述局部及所述模塑树脂露出的方式开口。

发明的效果

根据本发明,得到耐湿性高的半导体装置。

附图说明

图1是对实施方式1涉及的半导体装置的结构进行例示的俯视图。

图2是对实施方式1涉及的半导体装置的图1的位置AA处的剖面进行例示的剖视图。

图3是对实施方式1涉及的半导体装置的电连接关系进行例示的电路图。

图4是对实施方式1涉及的半导体装置的图1的位置BB处的剖面的一部分进行例示的剖视图。

图5是局部地对实施方式1涉及的半导体装置与配线的连接关系进行例示的俯视图。

图6是对实施方式1涉及的半导体装置的变形进行例示的俯视图。

图7是局部地对图6的位置CC处的剖面进行例示的剖视图。

图8是对实施方式2涉及的半导体装置的结构进行例示的俯视图。

图9是对实施方式2涉及的半导体装置的图8的位置DD处的剖面进行例示的剖视图。

图10是对实施方式2涉及的半导体装置的电连接关系进行例示的电路图。

图11是对实施方式2涉及的半导体装置的图8的位置EE处的剖面的一部分进行例示的剖视图。

图12是局部地对实施方式2涉及的半导体装置与配线的连接关系进行例示的俯视图。

具体实施方式

实施方式1

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