[发明专利]基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法在审
申请号: | 202110556130.3 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN113327871A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 田中裕二;浅井正也;春本将彦;金山幸司 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/027;B05B13/02;B05B15/68;B05D3/10;B05D7/24 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 形成 单元 方法 | ||
基板处理装置具备膜形成单元、周缘部去除单元和搬送机构,膜形成单元包括:第一旋转保持部,将基板保持为水平姿势并使其旋转;涂敷液喷嘴,向由第一旋转保持部旋转的基板的被处理面喷出含金属涂敷液,周缘部去除单元包括:第二旋转保持部,将基板保持为水平姿势并使其旋转;第一去除液喷嘴,向由第二旋转保持部旋转的基板的被处理面的周缘部喷出第一去除液,膜形成单元和周缘部去除单元的至少一个还包括:第二去除液喷嘴,其向旋转的基板的被处理面的周缘部喷出用于使涂敷液溶解的第二去除液,第一去除液喷嘴在通过从第二去除液喷嘴喷出的第二去除液溶解基板的被处理面的周缘部的涂敷液后,喷出第一去除液,溶解基板的被处理面的周缘部的金属。
本申请是申请号为CN201680031649.7、申请日为2016年4月15日、发明名称为“基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种进行在基板形成涂敷膜的处理的基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法。
背景技术
在半导体器件等的制造的光刻工序中,通过向基板上供给抗蚀液等涂敷液来形成涂敷膜。例如,通过旋转卡盘将基板一边保持水平一边进行旋转。在该状态下,通过从抗蚀喷嘴向基板的上表面的大致中央部喷出抗蚀液,来在基板的整个上表面作为涂敷膜形成抗蚀膜。此处,若在基板的周缘部存在抗蚀膜,则在用于搬送基板的搬送机构把持基板的周缘部时,抗蚀膜的一部分剥离而成为微粒(particle)。因此,从边缘冲洗喷嘴向基板的周缘部喷出有机溶剂,从而溶解基板的周缘部的抗蚀膜。由此,去除基板周缘部的抗蚀膜(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本专利特开平6-124887号公报
发明内容
发明所要解决的问题
近年来,为了形成更精细的图案,正研究着应用含有金属的涂敷膜(以下,称为含金属涂敷膜)。然而,根据发明者的实验可知,即使在通过向形成于基板上的含金属涂敷膜的周缘部喷出有机溶剂来去除基板周缘部的涂敷膜的情况下,在基板的周缘部上仍残留有未被去除的金属成分。因此,基板处理装置以及邻接的曝光装置被残留在基板周缘部的金属成分污染。
本发明的目的在于,提供一种在基板上形成含金属涂敷膜,并且能够防止金属污染发生的基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法以及膜形成方法。
解决问题的技术方案
(1)根据本发明的一个方式的基板处理装置,包括:膜形成单元,其通过将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给,来在被处理面形成含金属涂敷膜;周缘部去除单元,其在通过膜形成单元形成含金属涂敷膜后,以含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域的方式,向基板的周缘部供给用于使金属溶解的第一去除液;以及搬送机构,其在通过膜形成单元形成含金属涂敷膜后,将基板搬送至周缘部去除单元。
在该基板处理装置中,通过膜形成单元将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给。由此,在基板的被处理面形成含金属涂敷膜。通过搬送机构将形成含金属涂敷膜后的基板搬送至周缘部去除单元。另外,通过周缘部去除单元向基板的周缘部供给用于使金属溶解的第一去除液。由此,溶解基板周缘部的含金属涂敷膜中的金属,从而含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域。
根据该结构,在基板的除周缘部以外的被处理面形成含金属涂敷膜,并且能够防止金属残留在基板的周缘部。因此,即使在搬送机构保持基板的周缘部的情况下,金属也不会附着在搬送机构。由此,在基板上形成含金属涂敷膜,并且能够防止金属污染的发生。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110556130.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造