[发明专利]一种基于RAL的OTP寄存器验证方法有效
申请号: | 202110555736.5 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113255287B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 张多平;常子奇 | 申请(专利权)人: | 珠海一微半导体股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398;G06F30/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 519000 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 ral otp 寄存器 验证 方法 | ||
1.一种基于RAL的OTP寄存器验证方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
步骤1:搭建基于RAL的寄存器通用验证平台,然后进入步骤2;
步骤2:将随机数据写入OTP器件仿真模型的数据文件中,然后进入步骤3;
步骤3:获取当前寄存器抽象级描述文件,然后进入步骤4;
步骤4:基于当前寄存器抽象级描述文件,更新基于RAL的寄存器通用验证平台,然后进入步骤5;
步骤5:在基于RAL的寄存器通用验证平台上运行预定义的寄存器的复位值验证测试用例,验证OTP控制逻辑正确性;
其中,步骤1所述搭建基于RAL的寄存器通用验证平台具体包括如下步骤:
步骤11:基于OTP寄存器信息,建立初始寄存器抽象级描述文件,然后进入步骤12;
步骤12:基于VCS仿真器提供的Ralgen命令读取步骤11中所述初始寄存器抽象级描述文件,生成初始寄存器抽象级描述类,然后进入步骤13;
步骤13:建立总线驱动模型,创建事务适配器,芯片执行复位操作,然后进入步骤14;
步骤14:芯片复位结束后,OTP控制逻辑将OTP器件中存储的数据全部载入到OTP寄存器中,然后进入步骤15;
步骤15:在验证环境中关联初始寄存器抽象级描述类和事务适配器。
2.根据权利要求1所述的基于RAL的OTP寄存器验证方法,其特征在于,所述基于RAL的OTP寄存器验证方法在步骤1前还包括:获取OTP相关信息;其中,所述OTP相关信息包括OTP寄存器信息、OTP器件地址与OTP寄存器地址的映射关系信息;所述OTP寄存器信息包括OTP寄存器地址信息、OTP寄存器字段信息、OTP寄存器复位值信息。
3.根据权利要求1所述的基于RAL的OTP寄存器验证方法,其特征在于,步骤2中所述将随机数据写入OTP器件仿真模型的数据文件中具体是指,在OTP器件仿真模型的数据文件中的每一个地址对应存储一个随机数据。
4.根据权利要求2所述的基于RAL的OTP寄存器验证方法,其特征在于,步骤3所述获取当前寄存器抽象级描述文件的方法具体包括:基于步骤2中OTP器件仿真模型的数据文件、OTP器件地址与OTP寄存器地址的映射关系信息和所述OTP寄存器信息,建立当前寄存器抽象级描述文件。
5.根据权利要求1所述的基于RAL的OTP寄存器验证方法,其特征在于,步骤4中所述更新基于RAL的寄存器通用验证平台具体包括如下步骤:
步骤41:将基于RAL的寄存器通用验证平台的初始寄存器抽象级描述文件更新替换为当前寄存器抽象级描述文件,然后进入步骤42;
步骤42:基于VCS仿真器提供的Ralgen命令读取所述当前寄存器抽象级描述文件,生成当前寄存器抽象级描述类,然后进入步骤43;
步骤43:将基于RAL的寄存器通用验证平台的初始寄存器抽象级描述类更新替换为当前寄存器抽象级描述类。
6.根据权利要求1所述的基于RAL的OTP寄存器验证方法,其特征在于,所述步骤5具体包括如下步骤:
步骤51:运行预定义的寄存器的复位值验证测试用例过程中获取仿真日志,然后进入步骤52;
步骤52:分析仿真日志,判断本次运行预定义的寄存器的复位值验证测试用例是否生成错误信息,若是,则统计已生成的错误信息数量,然后进入步骤53;
步骤53:判断已生成的错误信息数量是否达到第一预设值,若否,则返回步骤51,继续本次预定义的寄存器的复位值验证测试用例的运行,直至错误信息数量达到第一预设值,或者直至完成本次预定义的寄存器复位值验证测试用例的运行,结束OTP寄存器的验证,若是,则结束本次预定义的寄存器复位值验证测试用例的运行,结束OTP寄存器的验证。
7.根据权利要求6所述的基于RAL的OTP寄存器验证方法,其特征在于,步骤51还包括:运行预定义的寄存器的复位值验证测试用例过程中,每检测到一次OTP寄存器载入的OTP值与OTP器件仿真模型的数据文件中对应地址的数据不一致,则仿真日志中记录一条错误信息。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海一微半导体股份有限公司,未经珠海一微半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110555736.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种粉末金属耐磨涂料及其制备工艺
- 下一篇:一种CIGS薄膜太阳能电池