[发明专利]小信号管芯背金工艺

说明书

本发明公开了小信号管芯背金工艺，该工艺具体包括如下步骤：晶片正面贴保护膜，背面减薄一定的厚度，减薄厚度为3‑10um，去除晶片正面的保护膜层，以便后续工艺的继续，通过半导体专用设备蒸发台淀积Ti/AL膜层，Ti淀积温度180℃‑260℃，AL淀积温度150℃‑240℃，晶片背面淀积Ti/AL后进炉管合金，N2气和H2气氛围合金，合金温度380℃‑480℃，通过半导体专用设备蒸发台淀积Ti/AL膜层，Ti金属膜厚0.05‑0.2um，AL淀积温度1‑8um，晶片背面淀积Ti/AL后进炉管合金，N2气和H2气氛围合金。本发明所述的小信号管芯背金工艺，总体上降低了芯片企业的背金工艺的制造成本，改善了封装装片的便捷性，粘片的可靠性，提升了拉力，降低了封装的质量成本，增加了产品的竞争力和利润。

技术领域

本发明涉及背金工艺领域，具体涉及小信号管芯背金工艺。

背景技术

小信号管芯背金工艺是对小信号管芯进行背金加工的工艺，小信号管芯管芯面积尺寸小于1mm*1mm，小管芯有其特殊且必须的应用途径，且市场面较宽，适用于各种微型或中大型便携式设备的电路上，而封装多见于SOT23等小器件封装形式，该封装形式的小信号管在电路应用中有其不可替代的作用，那么封装的可靠性便显得十分关键了，如此小尺寸的管芯在封装框架上粘片工艺便十分困难，是阻碍小管芯批量封装的关键因素，究其原因是小管芯背金工艺的迟缓发展相对于小信号管芯封装粘片快速发展的落后现状；

但是传统的大管芯背金工艺已严重不适用于小管芯的使用，大部分小管芯背金工艺仍在沿用传统的Cr/Ni/Au、Ti/Ni/Au或Ti//SnCu/Au等大管芯背金工艺，不利于小管芯SOT23封装框架的装片和粘片工艺，在封装过程中为了提高管芯拉力而提高装片温度以增加粘片拉力时会出现背金金属层应力大而出现的爆管现象(管芯碎裂)，以及常见的批次性封装粘片后拉力偏小或无拉力现象等，已严重阻碍了小信号管芯的批量封装和市场的持续需求，给封装企业带来了较大的质量成本，阻碍了小信号管芯封装的发展和进步；另一个成本问题是为了增加小管芯共晶工艺的拉力，在背金工艺上通常的方法是增加贵金属金膜层的厚度，而贵金属金十分昂贵，在增加金膜层厚度的情况下，无疑中增加了芯片企业的制造成本，部分小管芯的金膜厚已达到了已是小管芯制造成本中不得不考虑缩减的重要成本。

发明内容

本发明的主要目的在于提供小信号管芯背金工艺，可以有效解决背景技术中：解决封装装片的便捷性、粘片的垃圾及芯片制造企业的材料成本，彻底改善小型号管芯的制造和封装痛点，促进小管芯晶体管市场的发展，降低终端应用的器件成本的问题。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

小信号管芯背金工艺，该工艺具体包括如下步骤：

步骤一：晶片贴膜减薄，晶片正面贴保护膜，背面减薄一定的厚度，晶片背面减薄，减薄厚度为3-10um；

步骤二：去除膜层，晶片背面减薄后去除晶片正面的保护膜层；

步骤三：一次蒸发，通过半导体专用设备蒸发台淀积Ti/AL膜层，Ti淀积温度180℃-260℃，AL淀积温度150℃-240℃；

步骤四：二次蒸发，通过半导体专用设备蒸发台淀积Ti/AL膜层，Ti金属膜厚0.05-0.2um，AL淀积温度1-8um；

步骤五：三次蒸发，晶片背面淀积Ti/AL后进炉管合金，N2气和H2气氛围合金，合金温度380℃-480℃；

步骤六：四次蒸发，合金后的晶片再进蒸发台淀积Ti/Ni/SnCu/Au，淀积温度分别为Ti：160℃-240℃，Ni：120℃-200℃，SnCu：40℃-100℃，Au：40℃-80℃；淀积速率以实际蒸发台的最佳条件为准；

步骤七：五次蒸发，合金后的晶片再进蒸发台淀积Ti/Ni/SnCu/Au，膜层厚度分别为Ti：0.05-0.2um，Ni：0.1-0.5um，SnCu：2-10um，Au：0.05-1.0um；