[发明专利]小信号管芯背金工艺

权利要求书

1.小信号管芯背金工艺，其特征在于：该工艺具体包括如下步骤：

步骤一：晶片贴膜减薄，晶片正面贴保护膜，晶片背面减薄，减薄厚度为3-10um；

步骤二：去除膜层，晶片背面减薄后去除晶片正面的保护膜层；

步骤三：一次蒸发，通过半导体专用设备蒸发台淀积Ti/AL膜层，Ti淀积温度180℃-260℃，AL淀积温度150℃-240℃；

步骤四：二次蒸发，通过半导体专用设备蒸发台淀积Ti/AL膜层，Ti金属膜厚0.05-0.2um，AL淀积温度1-8um；

步骤五：三次蒸发，晶片背面淀积Ti/AL后进炉管合金，N2气和H2气氛围合金，合金温度380℃-480℃；

步骤六：四次蒸发，合金后的晶片再进蒸发台淀积Ti/Ni/SnCu/Au，淀积温度分别为Ti：160℃-240℃，Ni：120℃-200℃，SnCu：40℃-100℃，Au：40℃-80℃；淀积速率以实际蒸发台的最佳条件为准；

步骤七：五次蒸发，合金后的晶片再进蒸发台淀积Ti/Ni/SnCu/Au，膜层厚度分别为Ti：0.05-0.2um，Ni：0.1-0.5um，SnCu：2-10um，Au：0.05-1.0um；

步骤八：淀积完成，晶片完成背面金属工艺的淀积。

2.根据权利要求1所述的小信号管芯背金工艺，其特征在于：所述步骤一中首先对晶片正面贴保护膜，对晶片正面进行保护，再通过硅腐蚀对晶片背面进行腐蚀减薄。

3.根据权利要求1所述的小信号管芯背金工艺，其特征在于：所述步骤二中通过吸取设备去除晶片正面的保护膜层，去除晶片正面保护膜的同时对晶片进行清洗。

4.根据权利要求1所述的小信号管芯背金工艺，其特征在于：所述步骤三、步骤四和步骤五为同步进行蒸发，所述步骤六和步骤七为同步进行蒸发，所述步骤六和步骤七排列在步骤三、步骤四和步骤五的下一步。

5.根据权利要求1所述的小信号管芯背金工艺，其特征在于：所述步骤六中SnCu为合金，SnCu需要金属钨舟来盛放源材料。

6.根据权利要求1所述的小信号管芯背金工艺，其特征在于：所述步骤七中Ti/Ni/SnCu/Au的膜层厚度为中膜层厚度。

7.根据权利要求6所述的小信号管芯背金工艺，其特征在于：所述步骤八中蒸发后硅衬底下方为六层金属结构，排列顺序依次为硅衬底、Ti、AL、Ti、Ni、SnCu、Au。