[发明专利]一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统在审
申请号: | 202110555613.1 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113295715A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 甄伟;赵松彬 | 申请(专利权)人: | 丹东新东方晶体仪器有限公司 |
主分类号: | G01N23/00 | 分类号: | G01N23/00;G01N35/00;G01N35/04 |
代理公司: | 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 31346 | 代理人: | 黄小栋 |
地址: | 118000 辽宁省丹*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 单晶硅 定向 测试 系统 | ||
本发明公开了一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统,包括装置主体、输送带、支撑板以及控制面板,所述输送带固定安装在装置主体的上端面,所述控制面板固定连接在装置主体的前端面,所述支撑板固定连接在控制面板的下端面,所述输送带的上端面开设有承载槽,所述承载槽的内部放置有承载装置,所述承载装置的内部承载有晶棒,所述输送带的末端设有分离收集装置,所述分离收集装置固定连接在装置主体的上端面,所述装置主体的上端面中部还固定连接有定位环,且所述定位环位于分离收集装置的上方一侧,所述装置主体的上端面固定连接有夹持装置,所述夹持装置位于分离收集装置的一侧,实现对晶棒的快速定向测试。
技术领域
本发明涉及晶体测试技术领域,特别涉及一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统。
背景技术
人工生产出来的单晶硅晶棒在加工出各种规格晶片前,先要将毛坯晶棒进行定向,找出需要的方向后,利用磨削设备将晶棒柱面加工出参考边或notch,并按测定角度值将晶棒粘结在料板上,进行晶棒粘接,晶棒定向需要有相配套的可将晶棒柱面参考边或notch根据需要指向需要的角度。
通过专利检索,存在以下已知的现有技术方案:
申请号:CN201810915272.2,申请日:2018.08.13。该发明公开了一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统,包括料板机构、料板旋转机构、升降机构、摆转机构和驱动机构,所述摆转机构包括安装座,安装座的顶部安装有减速机,减速机的顶部设有与减速机连接的第二电机,第二电机的一侧安装有第一编码器,驱动机构设置于第二电机的另一侧,第二电机靠近驱动机构的一侧还安装有水平设置的定位探针,安装座的底部还安装有第二直线导轨,第二直线导轨的一侧活动安装有丝杠,丝杠的一端通过第一联轴器安装有第三电机,所述驱动机构包括行走部分、两组跟随行走部分运动的X光发生部分以及两组信号系统。本发明设计合理,使切片后精度控制在±3′以内,以满足半导体级单晶硅的切片制品精度日益提高的需要。
该现有技术使用时通过设有弧形导轨以及直线导轨驱动X光发送器和信号接收器对晶棒进行定位测试,该种方式导轨较为复杂且工作效率较低,装置结构较为冗杂故障率高,同时现有的装置中需要手动对晶体进行放料测试只能实现逐个测试,测试效率较低且。
因此,有必要提供一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统解决上述技术问题。
发明内容
一要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统,以解决上述背景技术中的问题。
二技术方案
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种半导体级单晶硅晶棒定向测试系统,包括装置主体、输送带、支撑板以及控制面板,所述输送带固定安装在装置主体的上端面,所述控制面板固定连接在装置主体的前端面,所述支撑板固定连接在控制面板的下端面,所述输送带的上端面开设有承载槽,所述承载槽的内部放置有承载装置,所述承载装置的内部承载有晶棒,所述输送带的末端设有分离收集装置,所述分离收集装置固定连接在装置主体的上端面,所述装置主体的上端面中部还固定连接有定位环,且所述定位环位于分离收集装置的上方一侧,所述装置主体的上端面固定连接有夹持装置,所述夹持装置位于分离收集装置的一侧,所述装置主体的侧端面一侧固定连接有收集箱。
所述装置主体的内部固定安装有第二驱动电机,所述第二驱动电机驱动连接有第二转动杆,所述第二转动杆驱动连接有传动曲轴,所述第二转动杆通过传动曲轴驱动连接有驱动杆,所述驱动杆侧端面套接有限位套杆,所述限位套杆位于输送带的末端,所述分离收集装置的下端面固定连接有收集漏斗,所述收集漏斗下端面固定连接有集料管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丹东新东方晶体仪器有限公司,未经丹东新东方晶体仪器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110555613.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高ESD的SBD二极管及其制备方法
- 下一篇:小信号管芯背金工艺