[发明专利]1，2-二苯并环丁烯基乙烯制备方法

说明书

本发明属于化学材料技术领域，涉及一种1，2‑二苯并环丁烯基乙烯制备方法。所述方法包括以下原料：4‑溴苯并环丁烯，硅乙烯基单体，醋酸钯，醋酸钾，三邻甲苯基膦，四丁基溴化铵，N,N‑二甲基甲酰胺，水；4‑溴苯并环丁烯与硅乙烯基单体、醋酸钯、醋酸钾、三邻甲苯基膦、四丁基溴化铵摩尔比为：30‑50:5‑15:0.1‑0.5:50‑70:0.1‑0.5:10‑30；将原料依次投入到反应器中，通入氮气保护，在80～100 ^oC条件下搅拌反应28～48 h；反应结束之后，冷至室温得到反应母液；进行洗涤，分离有机相，干燥，纯化，即得。本发明方法步骤简单，产率高，反应条件温和，产率高，适合大规模生产。

技术领域

本发明属于化学材料技术领域，涉及一种1，2-二苯并环丁烯基乙烯制备方法。

背景技术

随着半导体工业的快速发展，高性能低介电、低损耗材料的研制和开发得到高度重视。由于高频高速的发展需求，超大规模集成电路尺寸逐渐缩小以及芯片内部的链接线路越来越密集，导致了信号的传输延迟和交叉干扰，对高性能低介电低损耗材料的需求也日益迫切。为了解决这些问题，要求材料必须满足低介电、低损耗、高机械强度、高热稳定性、低热膨胀等综合性能。苯并环丁烯(简称BCB)类材料由于具有优异的耐高低温性能，低介电，低损耗，气密性好，耐辐照，特别是具有优异的成膜性能和抗潮性能等特点，在电子封装领域获得了广泛应用。

1，2-二苯并环丁烯基乙烯(DBCBE)由于其特殊化学结构，具有可开环交联的四元环结构和可发生Diels-Alder反应的活性双键结构，固化后树脂具有优异热学性能与电学性能，故是一类性能优异的低介电材料。

DBCBE一般采用Heck反应进行合成，即乙烯气体与4-溴苯并环丁烯(4BrBCB)在0.52MPa压力下，在乙腈或者N,N-二甲基甲酰胺/水作溶剂下，在加热条件下通过Heck反应合成，产率约80％(J.Org.Chem.，1978，43，2454-2456；U.S.Pat.5264646，1993年)。由于该方法操作繁琐，需要使用高压反应釜，难以规模化大批量制备，且反应后始终有一定量的单取代产物难以完全转化成双取代的目标产物，反应效率并不高，这也严重制约了该类材料的推广应用。

鉴于该单体优异的性能和广阔的应用前景，提供一种简便高效的合成方法显得十分有必要。

发明内容

本发明主要目的在于提供一种1，2-二苯并环丁烯基乙烯制备方法，本发明方法步骤简单，产率高，反应条件温和，不需要乙烯气体和压力容器，适合大规模生产。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种1，2-二苯并环丁烯基乙烯制备方法，其包括以下原料：4-溴苯并环丁烯，硅乙烯基单体，醋酸钯，醋酸钾，三邻甲苯基膦，四丁基溴化铵，N,N-二甲基甲酰胺，水；

其中，4-溴苯并环丁烯与硅乙烯基单体、醋酸钯、醋酸钾、三邻甲苯基膦、四丁基溴化铵摩尔比为：30～50:5～15:0.1～0.5:50～70:0.1～0.5:10～30。

进一步地，4-溴苯并环丁烯与N,N-二甲基甲酰胺摩尔体积比为：30～50:10～30mol/L；4-溴苯并环丁烯与水摩尔体积比为：30～50:5～20mol/L。

进一步地，所述硅乙烯基单体选自三乙烯基环三硅氧烷、六乙烯基环三硅氧烷、四乙烯基环四硅氧烷、八乙烯基环四硅氧烷、二乙烯基二硅氧烷、四乙烯基二硅氧烷、六乙烯基二硅氧烷中任意一种或几种。

进一步地，所述方法具体包括以下步骤：

将原料依次投入到反应器中，通入氮气保护10～30min后，在80～100℃温度条件下1500～3000r/min搅拌反应28～48h；反应结束之后，冷至室温得到反应母液；进行洗涤，分离有机相，干燥，纯化，即得。