[发明专利]建模方法、装置、计算机设备及存储介质

说明书

本发明涉及一种建模方法、装置、计算机设备及存储介质，所述方法包括：获取硅通孔结构中各子结构的电参数；根据两个裸片之间各所述硅通孔结构的连接关系得到电拓扑网络模型；根据所述电拓扑网络模型和所述电参数得到仿真模型，以进行仿真。上述建模方法、装置、计算机设备及存储介质能够对包含硅通孔结构的三维集成电路进行仿真，从而知晓硅通孔结构对整个三维集成电路的影响。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种建模方法、装置、计算机设备及存储介质。

背景技术

目前，硅通孔(TSV，through silicon via)技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互联的一种新的技术解决方案。硅通孔技术通过在相邻两个半导体芯片(也称为裸片，Die)之间形成硅通孔结构以实现相邻两个Die之间的电性连接。

譬如，动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)的双倍速率(DDR，Double Data Rate)产品会用到硅通孔(TSV，through silicon via)技术，将两片甚至多片DDR芯片叠加起来。硅通孔结构形成于相邻两片DDR芯片之间使得实现相邻DDR芯片电性连接，形成3D堆叠结构，从而减小因为封装带来的额外损耗。

然而，传统技术无法对包含硅通孔结构的三维集成电路进行仿真，从而无法知晓硅通孔结构对三维集成电路的影响。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术无法对包含硅通孔结构的三维集成电路进行仿真，从而无法知晓硅通孔结构对三维集成电路的影响的问题提供一种建模方法、装置、计算机设备及存储介质。

为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种建模方法，包括：

获取硅通孔结构中各子结构的电参数；

根据两个裸片之间各所述硅通孔结构的连接关系得到电拓扑网络模型；

根据所述电拓扑网络模型和所述电参数得到仿真模型，以进行仿真。

在其中一个实施例中，所述两个裸片分别为第一裸片和第二裸片，各所述子结构包括凸起焊盘子结构及硅通孔子结构，所述凸起焊盘子结构的一端与所述第二裸片电连接，所述凸起焊盘子结构的另一端与所述硅通孔子结构的一端电连接，所述第一裸片上开设有通孔供所述硅通孔子结构穿过以将所述硅通孔子结构的另一端与所述第一裸片电连接，所述电参数包括所述凸起焊盘子结构的电参数和所述硅通孔子结构的电参数。

在其中一个实施例中，所述获取硅通孔结构中各子结构的电参数，包括：

获取所述硅通孔结构的结构示意图；

根据所述硅通孔结构的结构示意图得到所述硅通孔结构中各所述子结构的材料组成剖面图；所述子结构的材料组成剖面图包括所述子结构的材料信息及尺寸信息；

根据每个所述子结构的材料信息及尺寸信息得到所述电参数。

在其中一个实施例中，所述电参数包括电阻参数、电容参数及电感参数。

在其中一个实施例中，所述两个裸片之间硅通孔结构的数量为多个时，各所述硅通孔结构相同，所述电拓扑网络模型包括多个子网络模型，所述子网络模型的数量与所述硅通孔结构的数量相等；

每个所述子网络模型包括凸起焊盘子电阻、硅通孔电阻、凸起焊盘子电容、硅通孔电容、凸起焊盘子电感及硅通孔电感，所述凸起焊盘子电阻、所述凸起焊盘子电感、所述硅通孔电感及所述硅通孔电阻依次串联于所述第二裸片和所述第一裸片之间，所述凸起焊盘子电容的一端连接于所述第二裸片和所述凸起焊盘子电阻之间，所述凸起焊盘子电容的另一端连接于预设远端，所述硅通孔电容的一端连接于所述凸起焊盘子电感和所述硅通孔电感之间，所述硅通孔电容的另一端与另一个所述子网络模型中的硅通孔电容连接。