[发明专利]建模方法、装置、计算机设备及存储介质

权利要求书

1.一种建模方法，其特征在于，包括：

获取硅通孔结构中各子结构的电参数；

根据两个裸片之间各所述硅通孔结构的连接关系得到电拓扑网络模型；

根据所述电拓扑网络模型和所述电参数得到仿真模型，以进行仿真。

2.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述两个裸片分别为第一裸片和第二裸片，各所述子结构包括凸起焊盘子结构及硅通孔子结构，所述凸起焊盘子结构的一端与所述第二裸片电连接，所述凸起焊盘子结构的另一端与所述硅通孔子结构的一端电连接，所述第一裸片上开设有通孔供所述硅通孔子结构穿过以将所述硅通孔子结构的另一端与所述第一裸片电连接，所述电参数包括所述凸起焊盘子结构的电参数和所述硅通孔子结构的电参数。

3.根据权利要求2所述的建模方法，其特征在于，所述获取硅通孔结构中各子结构的电参数，包括：

获取所述硅通孔结构的结构示意图；

根据所述硅通孔结构的结构示意图得到所述硅通孔结构中各所述子结构的材料组成剖面图；所述子结构的材料组成剖面图包括所述子结构的材料信息及尺寸信息；

根据每个所述子结构的材料信息及尺寸信息得到所述电参数。

4.根据权利要求3所述的建模方法，其特征在于，所述电参数包括电阻参数、电容参数及电感参数。

5.根据权利要求4所述的建模方法，其特征在于，所述两个裸片之间硅通孔结构的数量为多个时，各所述硅通孔结构相同，所述电拓扑网络模型包括多个子网络模型，所述子网络模型的数量与所述硅通孔结构的数量相等；

每个所述子网络模型包括凸起焊盘子电阻、硅通孔电阻、凸起焊盘子电容、硅通孔电容、凸起焊盘子电感及硅通孔电感，所述凸起焊盘子电阻、所述凸起焊盘子电感、所述硅通孔电感及所述硅通孔电阻依次串联于所述第二裸片和所述第一裸片之间，所述凸起焊盘子电容的一端连接于所述第二裸片和所述凸起焊盘子电阻之间，所述凸起焊盘子电容的另一端连接于预设远端，所述硅通孔电容的一端连接于所述凸起焊盘子电感和所述硅通孔电感之间，所述硅通孔电容的另一端与另一个所述子网络模型中的硅通孔电容连接。

6.根据权利要求5所述的建模方法，其特征在于，所述根据所述电拓扑网络模型和所述电参数得到仿真模型，以进行仿真，包括：

根据所述子网络模型和所述电参数得到仿真模型文件；

根据两个裸片之间所述硅通孔结构的数量在所述第一裸片的电路模型和所述第二裸片的电路模型之间配置硅通孔结构符号，以得到第一电路模型；

根据所述第一电路模型和所述仿真模型文件得到所述仿真模型，以进行仿真。

7.根据权利要求5所述的建模方法，其特征在于，当所述裸片的数量大于两个时，所述根据所述电拓扑网络模型和所述电参数得到仿真模型，以进行仿真，包括：

根据所述子网络模型和所述电参数得到仿真模型文件；

根据相邻两个裸片之间所述硅通孔结构的数量分别在所有相邻两个所述裸片之间配置硅通孔结构符号，以得到第二电路模型；及

根据所述第二电路模型和所述仿真模型文件得到所述仿真模型，以进行仿真。

8.根据权利要求3所述的建模方法，其特征在于，所述凸起焊盘子结构包括依次堆叠的第一铜层、第二铜层、第一镍层、锡银合金层及第二镍层；所述硅通孔子结构包括第三铜层；

所述根据每个所述子结构的材料信息及尺寸信息得到所述电参数的步骤中根据所述第一铜层、所述第二铜层、所述第一镍层、所述锡银合金层及所述第二镍层的材料信息及尺寸信息得到所述凸起焊盘子结构的电参数，并根据所述第三铜层的材料信息及尺寸信息得到所述硅通孔子结构的电参数。

9.根据权利要求8所述的建模方法，其特征在于，还包括：

根据仿真结果得到所述硅通孔结构的优化结构。