[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110552843.2 | 申请日: | 2021-05-20 |
公开(公告)号: | CN113284935A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 沙一鸣;李锡平;程旭辉;任步 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供了显示基板及其制备方法、显示装置,所述显示基板包括显示区域和位于显示区域一侧的扇出区域,扇出区域包括第一隔离区;在垂直于显示基板的平面上,所述第一隔离区包括设置在基底上的第二复合绝缘层以及设置于所述第二复合绝缘层的第二导电层、第一平坦层、第三导电层和第二平坦层,所述第二导电层、第一平坦层、第三导电层和第二平坦层沿着远离所述基底的方向依次设置;所述第一平坦层在基底上的正投影与所述第二平坦层在基底上的正投影至少存在重叠区域。
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开所要解决的技术问题是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,能够有效隔绝水汽同时避免静电释放击伤。
为了解决上述技术问题,本公开提供了一种显示基板,包括显示区域和位于显示区域一侧的扇出区域,所述扇出区域包括第一隔离区;在垂直于显示基板的平面上,所述第一隔离区包括设置在基底上的第二复合绝缘层以及设置于所述第二复合绝缘层的第二导电层、第一平坦层、第三导电层和第二平坦层,所述第二导电层、第一平坦层、第三导电层和第二平坦层沿着远离所述基底的方向依次设置;所述第一平坦层在基底上的正投影与所述第二平坦层在基底上的正投影至少存在重叠区域。
为了解决上述技术问题,本公开还提供了一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括显示区域和位于显示区域一侧的扇出区域,所述制备方法包括:
在所述扇出区域形成第一隔离区,在垂直于显示基板的平面上,所述第一隔离区包括设置在基底上的第二复合绝缘层以及设置于所述第二复合绝缘层的第二导电层、第一平坦层、第三导电层和第二平坦层,所述第二导电层、第一平坦层、第三导电层和第二平坦层沿着远离所述基底的方向依次设置;所述第一平坦层在基底上的正投影与所述第二平坦层在基底上的正投影至少存在重叠区域。
为了解决上述技术问题,本公开还提供了一种显示装置,包括上述显示基板。
本公开实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置,通过设置第三导电层和第二平坦层作为隔离结构,代替隔断槽实现水汽隔绝,并且通过设置第一平坦层和第二平坦层在基底上的正投影相交,保证在隔离区内,在平行于基底方向上,第二导电层上方均有平坦层保护,增强显示基板的绝缘效果(即ESD的防护能力),可以有效避免ESD击伤。
在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为一种显示基板的结构示意图;
图2为图1中C区域的放大图;
图3为一种触控结构层的结构示意图;
图4a为测试收发及不良现象的示意图;
图4b为不良高发位置示意图;
图5为一种触控连接线跨越隔离槽和隔离坝的示意图;
图6a为本公开实施例一种扇出区域局部的示意图;
图6b为图6a中A-A向的剖视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的