[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110552843.2 | 申请日: | 2021-05-20 |
公开(公告)号: | CN113284935A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 沙一鸣;李锡平;程旭辉;任步 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括显示区域和位于显示区域一侧的扇出区域,所述扇出区域包括第一隔离区;在垂直于显示基板的平面上,所述第一隔离区包括设置在基底上的第二复合绝缘层以及设置于所述第二复合绝缘层的第二导电层、第一平坦层、第三导电层和第二平坦层,所述第二导电层、第一平坦层、第三导电层和第二平坦层沿着远离所述基底的方向依次设置;所述第一平坦层在基底上的正投影与所述第二平坦层在基底上的正投影至少存在重叠区域。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述扇出区域还包括第二隔离区,所述第二隔离区设置于所述第一隔离区远离所述显示区域的一侧,或者设置于所述第一隔离区靠近所述显示区域的一侧,所述第二隔离区包括沿平行于显示区域边缘的方向延伸的隔离坝,所述显示区域边缘为所述显示区域靠近所述扇出区域一侧的边缘。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在所述第一隔离区,在平行于基底方向上,所述第二导电层包括沿远离显示区域方向依次设置的第一金属线和第二金属线,所述第一金属线和所述第二金属线之间形成有隔离槽,所述第一平坦层包括覆盖所述第一金属线的第一平坦部和覆盖所述第二金属线的第二平坦部,所述第三导电层设置于所述隔离槽内,所述第三导电层的靠近所述显示区域的第一侧设置于所述第一平坦部远离所述显示区域的第一侧上,所述第三导电层远离所述显示区域的第二侧设置于所述第二平坦部靠近所述显示区域的第一侧上,所述第二平坦层覆盖所述第三导电层,所述第二平坦层靠近所述显示区域的一侧在基底上的正投影与所述第一平坦部的第一侧在基底上的正投影重叠,所述第二平坦层远离所述显示区域的一侧在基底上的正投影与所述第二平坦部的第一侧在基底上的正投影重叠。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第二平坦层在所述基底上的正投影小于所述第三导电层在基底上的正投影。
5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,在平行于基底方向上,所述第一平坦部远离显示区域边缘的第一侧与所述显示区域边缘的距离大于所述第一金属线远离所述显示区域边缘的一端与所述显示区域边缘的距离;所述第二平坦部靠近所述显示区域边缘的第一侧与所述显示区域边缘的距离小于所述第二金属线靠近所述显示区域边缘的一端与所述显示区域边缘的距离;所述显示区域边缘为所述显示区域靠近所述扇出区域一侧的边缘。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一隔离区还包括钝化层,所述钝化层包括位于所述第一金属线与第一平坦部之间的第一钝化层,位于所述隔离槽内所述第二导电层与所述第二复合绝缘层之间的第二钝化层,以及位于所述第二金属线与第二平坦部之间的第三钝化层。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在所述第一隔离区,所述第二导电层上覆盖有第一平坦层,所述第一平坦层远离所述显示区域的一侧与所述显示区域边缘之间的距离大于所述第二导电层远离所述显示区域的一侧与所述显示区域边缘之间的距离,所述显示区域边缘为所述显示区域靠近所述扇出区域一侧的边缘;在垂直于基底方向上,所述第三导电层靠近所述显示区域的一侧设置于所述第一平坦层远离所述显示区域的一侧上,所述第二平坦层覆盖所述第三导电层,所述第二平坦层靠近所述显示区域的一侧在基底上的正投影与所述第一平坦层远离所述显示区域的一侧在基底上的正投影重叠。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,
所述第二平坦层靠近所述显示区域边缘的一侧与所述显示区域边缘的距离大于所述第三导电层靠近所述显示区域边缘的一侧与所述显示区域边缘的距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的