[发明专利]显示模组及其制作方法在审
申请号: | 202110550090.1 | 申请日: | 2021-05-20 |
公开(公告)号: | CN113327933A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 胡道兵;徐洪远 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L25/16;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 模组 及其 制作方法 | ||
本申请公开了一种显示模组及其制作方法,该显示模组包括:基板,基板上设有至少一开关元件和至少一发光元件;绑定层,包括位于基板与开关元件之间的第一引脚;第一封装层,设置于基板上且至少位于开关元件周侧,第一封装层、开关元件和基板形成一密封腔密封第一引脚;本发明通过设置第一封装层将第一引脚全部包裹起来,使得在RA中,特别是进行具有高温高湿测试条件的测试项目时,水汽不容易聚集在开关元件与绑定层的第一引脚处,从而达到保护开关元件不受水汽侵蚀的目的,保证发光元件的正常显示。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示模组及其制作方法。
背景技术
目前,次毫米发光二极管(mini LED)为电流驱动,对驱动薄膜晶体管(TFT,ThinFilm Transistor)的稳定性要求非常高;非晶硅-薄膜晶体管(a-Si TFT,a-Si Thin FilmTransistor)、铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(IGZO TFT,indium gallium zinc oxide ThinFilm Transistor)或者低温多晶硅-薄膜晶体管(LTPS TFT,Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor)等在可靠性测试(RA,Reliability Analysis)条件下均会有一定程度的阈值电压(Vth)飘移,导致LED元件的亮度出现衰减。
金氧半导体场效应晶体管(MOS,Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)有着极其稳定的电性能,在RA极端条件下Vth几乎不变,可以很好满足Mini-LED的驱动要求。但由于MOS管的焊盘一直是暴露在空气当中,在RA特别是高温高湿等高湿项目时,水汽会聚集在MOS管下面的焊盘间隙处,积累到一定程度后会导致MOS管短路,造成分区内LED元件常亮,形成异常亮点。
发明内容
为了解决上述问题:提供一种显示模组及其制作方法,以解决开关元件受水汽侵蚀的技术问题。
本发明提供一种显示模组,包括:
基板,所述基板上设有至少一开关元件和至少一发光元件;
绑定层,包括位于所述基板与所述开关元件之间的第一引脚;
第一封装层,设置于所述基板上且至少位于所述开关元件周侧,所述第一封装层、开关元件和所述基板形成一密封腔密封所述第一引脚。
在本发明的一实施例中,所述第一封装层设置于所述基板和所述开关元件上且覆盖所述开关元件。
在本发明的一实施例中,所述第一封装层与所述发光元件呈间隔设置于所述基板上。
在本发明的一实施例中,所述第一封装层设置在以所述开关元件为中心,半径在2.5mm的区域范围内。
在本发明的一实施例中,所述基板上还设有至少一个薄膜晶体管元件;所述显示模组还包括第二封装层;所述第二封装层设置于所述薄膜晶体管元件和所述基板上且覆盖所述薄膜晶体管元件。
在本发明的一实施例中,所述开关元件为金氧半导体场效应晶体管,所述发光元件为发光二极管。
在本发明的一实施例中,所述显示模组还包括第三封装层,所述第三封装层的材料为透明材料,所述第三封装层设置于所述基板和所述发光元件上且覆盖所述发光元件,所述第三封装层远离所述发光元件的一侧呈弧面结构。
本发明还提供一种显示模组的制作方法,包括以下步骤:
提供一基板;
在所述基板上形成绑定层,所述绑定层包括至少一个第一引脚;
在所述第一引脚上连接开关元件,在所述绑定层上连接至少一发光元件;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的