[发明专利]半导体器件和半导体封装件

说明书

提供了一种半导体器件和一种半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面；有源图案，所述有源图案从所述半导体衬底的所述第一表面突出，所述有源图案包括源极/漏极区；电源轨，所述电源轨电连接到所述源极/漏极区；电力配送网络，所述电力配送网络设置在所述半导体衬底的所述第二表面上；和穿透通路结构，所述穿透通路结构穿透所述半导体衬底并且电连接到所述电源轨和所述电力配送网络。所述穿透通路结构包括：第一导电图案，所述第一导电图案电连接到所述电源轨；和第二导电图案，所述第二导电图案电连接到所述电力配送网络。所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的材料。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2020年8月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0096758的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体器件和半导体封装件，并且更具体地，涉及包括穿透半导体衬底的穿透通路结构的半导体器件和半导体封装件。

背景技术

半导体器件可以包括集成电路，该集成电路包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。为了满足对具有小图案尺寸和简化设计规则(reduced design rule)的半导体器件的不断增长的需求，正在积极缩小MOSFET的尺寸。然而，这样的尺寸缩小可能导致半导体器件的操作性质的劣化。

发明内容

本发明构思的实施例提供了能够被容易地制造的具有增加的可靠性的半导体器件以及包括该半导体器件的半导体封装件。

根据本发明构思的实施例，半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面；有源图案，所述有源图案从所述半导体衬底的所述第一表面突出，所述有源图案包括源极/漏极区；电源轨，所述电源轨电连接到所述源极/漏极区；电力配送网络，所述电力配送网络设置在所述半导体衬底的所述第二表面上；和穿透通路结构，所述穿透通路结构穿透所述半导体衬底并且电连接到所述电源轨和所述电力配送网络。所述穿透通路结构包括：第一导电图案，所述第一导电图案连接到所述电源轨；和第二导电图案，所述第二导电图案连接到所述电力配送网络。所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的材料。

根据本发明构思的实施例，半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面；晶体管，所述晶体管设置在所述半导体衬底的所述第一表面上；电源轨，所述电源轨电连接到所述晶体管的端子；下绝缘层，所述下绝缘层设置在所述半导体衬底的所述第二表面上；多条下互连线，所述多条下互连线设置在所述下绝缘层中；和穿透通路结构，所述穿透通路结构穿透所述半导体衬底，并且将所述下互连线中的相应的下互连线电连接到所述电源轨。所述穿透通路结构在基本上垂直于所述半导体衬底的所述第二表面的方向上从所述第二表面朝着所述第一表面延伸。所述穿透通路结构包括：第一导电图案，所述第一导电图案电连接到所述电源轨；和第二导电图案，所述第二导电图案电连接到所述相应的下互连线。所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的金属。

根据本发明构思的实施例，半导体封装件包括：下半导体芯片，所述下半导体芯片包括半导体衬底和穿透所述半导体衬底的穿透通路结构；和上半导体芯片，所述上半导体芯片设置在所述下半导体芯片上。所述上半导体芯片通过所述穿透通路结构电连接到所述下半导体芯片。所述穿透通路结构包括：第一导电图案，所述第一导电图案穿透所述半导体衬底的下部；和第二导电图案，所述第二导电图案穿透所述半导体衬底的上部。所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的金属。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的实施例，本发明构思的上述和其他特征将变得更加容易理解，在附图中：

图1是示出根据本发明构思的实施例的半导体器件的俯视图。