[发明专利]半导体器件和半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面；

有源图案，所述有源图案从所述半导体衬底的所述第一表面突出，所述有源图案包括源极/漏极区；

电源轨，所述电源轨电连接到所述源极/漏极区；

电力配送网络，所述电力配送网络设置在所述半导体衬底的所述第二表面上；和

穿透通路结构，所述穿透通路结构穿透所述半导体衬底并且电连接到所述电源轨和所述电力配送网络，

其中，所述穿透通路结构包括：

第一导电图案，所述第一导电图案电连接到所述电源轨；和

第二导电图案，所述第二导电图案电连接到所述电力配送网络，

其中，所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述穿透通路结构还包括：

阻挡图案，所述阻挡图案介于所述半导体衬底与所述第一导电图案之间以及所述半导体衬底与所述第二导电图案之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述穿透通路结构还包括：

晶种图案，所述晶种图案介于所述阻挡图案与所述第二导电图案之间，

其中，所述晶种图案包括与所述第一导电图案相同的材料。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述晶种图案和所述第一导电图案彼此直接接触并且形成单个物体。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述穿透通路结构还包括：

晶种图案，所述晶种图案介于所述阻挡图案与所述第一导电图案之间以及所述阻挡图案与所述第二导电图案之间，

其中，所述晶种图案包括与所述第一导电图案不同的材料。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一导电图案包括介于所述晶种图案与所述第二导电图案之间的延伸部。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述晶种图案包括与所述第二导电图案相同的材料。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述晶种图案包括与所述第二导电图案不同的材料。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述穿透通路结构还包括：

绝缘图案，所述绝缘图案介于所述半导体衬底与所述阻挡图案之间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电力配送网络包括：

多条下互连线，所述多条下互连线设置在所述半导体衬底的所述第二表面上，

其中，所述穿透通路结构的所述第二导电图案穿透所述半导体衬底的一部分，并且连接到所述下互连线中的相应的下互连线。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

器件隔离层，所述器件隔离层设置在所述半导体衬底的所述第一表面上，并且覆盖所述有源图案的侧表面，

其中，所述电源轨掩埋在所述器件隔离层中，并且

所述穿透通路结构的所述第一导电图案穿透所述半导体衬底的另一部分，并且电连接到所述电源轨。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第一接触，所述第一接触设置在所述半导体衬底的所述第一表面上，并且电连接到所述源极/漏极区，

其中，所述第一接触包括穿透所述器件隔离层并且连接到所述电源轨的接触延伸部。