[发明专利]基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法

说明书

公开了基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法。该基板处理装置包括：腔室，该腔室在其内部具有用于处理基板的空间；基板支承组件，该基板支承组件包括支承板，该支承板位于该腔室中并支承该基板；气体供应单元，该气体供应单元将气体供应到该腔室的内部中；等离子体生成单元，该等离子体生成单元将该腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，该基板温度控制单元控制该基板的温度，且该基板温度控制单元包括：多个加热器，该多个加热器安装在该支承板的不同区域中；电源部，该电源部向该多个加热器供应电力；铁氧体芯，该铁氧体芯中断引入至该电源部的低频信号；和多个空气芯，该多个空气芯中断引入至该电源部的高频信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年5月19日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2020-0059469的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文描述的发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置和一种用于控制铁氧体芯(ferrite core)的温度的方法，且更具体地，涉及一种根据各个区域来控制基板温度的基板处理装置，以及一种用于控制铁氧体芯的温度的方法。

背景技术

在半导体制造过程中，需要一种用于控制基板温度的基板温度控制装置。现有的基板温度控制装置利用与各个加热单元相对应的多个控制单元来控制用于调节基板的各个区域温度的多个加热单元。然而，最近被聚焦(spotlight)的具有多区域的基板需要100个或更多个加热单元，并且当设置与加热单元相对应的控制单元时，需要是现有设施的30倍或更多倍的设施。设施体积的增加可能违背近来减小设施体积的趋势。

此外，在基板具有多区域的情况下，由于用于控制加热器(用于加热基板)的控制器或滤波器的数量随着加热器数量的增加而增加，因此，由于控制器或滤波器的影响可能改变工艺环境。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置以及一种用于控制铁氧体芯温度的方法，该基板处理装置可以减少该装置对工艺的影响。

本发明构思将要解决的问题不限于上述问题，本发明构思所属领域的技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提及的问题。

根据一个实施方案，基板处理装置包括：腔室，在所述腔室的内部所述腔室具有用于处理基板的空间；基板支承组件，所述基板支承组件包括支承板，所述支承板位于所述腔室中并支承所述基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述腔室的内部中；等离子体生成单元，所述等离子体生成单元将所述腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，所述基板温度控制单元控制所述基板的温度，且所述基板温度控制单元包括：多个加热器，所述多个加热器安装在所述支承板的不同区域中；电源部，所述电源部向所述多个加热器供应电力；铁氧体芯，所述铁氧体芯中断引入至所述电源部的低频信号；和多个空气芯，所述多个空气芯中断引入至所述电源部的高频信号。

所述铁氧体芯可设置在所述多个空气芯与所述电源部之间，且所述铁氧体芯的长度可以大于所述多个空气芯的长度。

所述铁氧体芯可包括电感为100μH至150μH的线圈。

所述基板温度控制单元还可包括铁氧体芯温度测量部，所述铁氧体芯温度测量部测量所述铁氧体芯的温度。

所述基板温度控制单元可进一步包括：铁氧体芯冷却部，所述铁氧体芯冷却部冷却所述铁氧体芯；和铁氧体芯温度控制部，所述铁氧体芯温度控制部根据所述铁氧体芯的温度来控制所述铁氧体芯冷却部。

所述铁氧体芯冷却部可包括围绕所述铁氧体芯安装的多个冷却风扇。

所述铁氧体芯温度控制部可控制所述铁氧体芯冷却部，使得所述铁氧体芯的温度维持在50摄氏度至100摄氏度的范围内。