[发明专利]基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其包括：

腔室，在所述腔室的内部所述腔室具有用于处理基板的空间；

基板支承组件，所述基板支承组件包括支承板，所述支承板位于所述腔室中并配置为支承所述基板；

气体供应单元，所述气体供应单元配置为将气体供应到所述腔室的内部中；

等离子体生成单元，所述等离子体生成单元配置为将所述腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和

基板温度控制单元，所述基板温度控制单元配置为控制所述基板的温度，

其中，所述基板温度控制单元包括：

多个加热器，所述多个加热器安装在所述支承板的不同区域中；

电源部，所述电源部配置为向所述多个加热器供应电力；

铁氧体芯，所述铁氧体芯配置为中断引入至所述电源部的低频信号；和

多个空气芯，所述多个空气芯配置为中断引入至所述电源部的高频信号。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯设置在所述多个空气芯与所述电源部之间，且所述铁氧体芯的长度大于所述多个空气芯的长度。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯包括电感为100μH至150μH的线圈。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述基板温度控制单元还包括：

铁氧体芯温度测量部，所述铁氧体芯温度测量部配置为测量所述铁氧体芯的温度。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述基板温度控制单元还包括：

铁氧体芯冷却部，所述铁氧体芯冷却部配置为冷却所述铁氧体芯；和

铁氧体芯温度控制部，所述铁氧体芯温度控制部配置为根据所述铁氧体芯的温度来控制所述铁氧体芯冷却部。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯冷却部包括围绕所述铁氧体芯安装的多个冷却风扇。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯温度控制部控制所述铁氧体芯冷却部，使得所述铁氧体芯的温度维持在50摄氏度至100摄氏度的范围内。

8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，设置一个所述铁氧体芯。

9.一种基板处理装置，其包括：

腔室，在所述腔室的内部所述腔室具有用于处理基板的空间；

基板支承组件，所述基板支承组件包括支承板，所述支承板位于所述腔室中并配置为支承所述基板；

气体供应单元，所述气体供应单元配置为将气体供应到所述腔室的内部中；

等离子体生成单元，所述等离子体生成单元配置为将所述腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和

基板温度控制单元，所述基板温度控制单元配置为控制所述基板的温度，

其中，所述基板温度控制单元包括：

多个加热器，所述多个加热器安装在所述支承板的不同区域中；

多个电源部，所述多个电源部配置为分别向所述多个加热器供应电力；和

滤波电路，所述滤波电路连接在所述多个加热器与所述多个电源部之间，以及

其中，所述滤波电路能够包括：

第一滤波器，所述第一滤波器配置为通过使用分别连接至所述多个加热器的多个空气芯来执行滤波；和

第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述第一滤波器与所述多个电源部之间，且配置为使用一个铁氧体芯执行滤波。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述第一滤波器中断引入至所述电源部中的高频信号，以及

其中，所述第二滤波器中断引入至所述电源部中的低频信号。

11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯设置在所述多个空气芯与所述电源部之间，且所述铁氧体芯的长度大于所述多个空气芯的长度。