[发明专利]一种滤波器

说明书

本发明实施例公开了一种滤波器。该滤波器包括至少两个谐振器，谐振器包括：第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二N型半导体层、第二P型半导体层和金属电极层。金属电极层位于第一N型半导体层与第二N型半导体层之间。滤波器还包括：第一金属电容极板，第一金属电容极板位于至少两个谐振器的第一P型半导体层远离第一N型半导体层的一侧；第二金属电容极板，第二金属电容极板位于至少两个谐振器的第二P型半导体层远离第二N型半导体层的一侧。其中，至少两个谐振器的金属电极层之间具有间隙，且至少两个谐振器的金属电极层相互电连接。本发明实现了滤波器的有载品质因数Q和有载可调范围大大提高。

技术领域

本发明实施例涉及滤波技术，尤其涉及一种滤波器。

背景技术

可变滤波器是高质量射频装置的重要器件，在雷达、航空等数据链无线通信领域有广泛应用。

现有的可变滤波器是在滤波器所在谐振电路的端部添加谐振电容或者变容管获得的，通过切换谐振电容或者改变变容管容值的方式改变滤波器的倍频程。

然而，现有的可变滤波器的有载品质因数Q较小，频率可调范围较小，不能满足日益提高的应用要求。

发明内容

本发明提供一种滤波器，提升了有载品质因数Q，且频率可调范围大大提升。

本发明实施例提供了一种滤波器，其中包括至少两个谐振器，所述谐振器包括：

第一P型半导体层；

第一N型半导体层，位于所述第一P型半导体层的一侧，所述第一N型半导体层与所述第一P型半导体层连接；

第二N型半导体层，位于所述第一N型半导体层远离所述第一P型半导体层的一侧；

第二P型半导体层，位于所述第二N型半导体层远离所述第一N型半导体层的一侧所述第二P型半导体层与所述第二N型半导体层连接；

金属电极层，所述金属电极层位于所述第一N型半导体层与所述第二N型半导体层之间；

所述滤波器还包括：

第一金属电容极板，所述第一金属电容极板位于至少两个所述谐振器的所述第一P型半导体层远离所述第一N型半导体层的一侧；

第二金属电容极板，所述第二金属电容极板位于至少两个所述谐振器的所述第二P型半导体层远离所述第二N型半导体层的一侧；

其中，至少两个所述谐振器的所述金属电极层之间具有间隙，且至少两个所述谐振器的所述金属电极层相互电连接。

可选的，所述金属电极层包括至少两层金属层。

可选的，至少两层所述金属层之间包括半导体隔离层。

可选的，还包括金属屏蔽层，所述金属屏蔽层将至少两个所述谐振器与外部空间隔离，用于屏蔽外部电磁波信号。

可选的，所述金属屏蔽层包括所述第一金属电容极板和所述第二金属电容极板。

可选的，还包括第一开槽，所述第一开槽位于至少两个所述谐振器之间，所述第一P型半导体层和所述第一N型半导体层二者所在层内的至少部分区域，所述第一开槽内填充有金属。

可选的，还包括第二开槽，所述第二开槽位于至少两个所述谐振器之间，所述第二P型半导体层和所述第二N型半导体层二者所在层内的至少部分区域，所述第二开槽内填充有金属。

可选的，还包括第三开槽，所述第三开槽至少部分位于至少两个所述谐振器之间，所述金属电极层所在层之中，所述第三开槽内填充第一介质；

其中，电磁波穿透所述第一介质导致的电磁波损耗低于电磁波穿透半导体导致的电磁波损耗。