[发明专利]一种滤波器有效
| 申请号： | 202110543925.0 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113270700B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 梁远勇;温海平;薛代彬;王鑫炜 | 申请（专利权）人： | 上海鸿晔电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;H01P7/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201108 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 滤波器 | ||
1.一种滤波器，其特征在于，包括至少两个谐振器，所述谐振器包括：
第一P型半导体层；
第一N型半导体层，位于所述第一P型半导体层的一侧，所述第一N型半导体层与所述第一P型半导体层连接；
第二N型半导体层，位于所述第一N型半导体层远离所述第一P型半导体层的一侧；
第二P型半导体层，位于所述第二N型半导体层远离所述第一N型半导体层的一侧所述第二P型半导体层与所述第二N型半导体层连接；
金属电极层，所述金属电极层位于所述第一N型半导体层与所述第二N型半导体层之间；
所述滤波器还包括：
第一金属电容极板，所述第一金属电容极板位于至少两个所述谐振器的所述第一P型半导体层远离所述第一N型半导体层的一侧；
第二金属电容极板，所述第二金属电容极板位于至少两个所述谐振器的所述第二P型半导体层远离所述第二N型半导体层的一侧；
其中，至少两个所述谐振器的所述金属电极层之间具有间隙，且至少两个所述谐振器的所述金属电极层相互电连接；
至少两个所述谐振器的所述金属电极层相互平行排列，至少两个所述金属电极层的一端均相互电连接；
所述滤波器还包括：
第一开槽，所述第一开槽位于至少两个所述谐振器之间，所述第一P型半导体层和所述第一N型半导体层二者所在层内的至少部分区域，所述第一开槽内填充有金属；
第二开槽，所述第二开槽位于至少两个所述谐振器之间，所述第二P型半导体层和所述第二N型半导体层二者所在层内的至少部分区域，所述第二开槽内填充有金属。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述金属电极层包括至少两层金属层。
3.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，至少两层所述金属层之间包括半导体隔离层。
4.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，还包括金属屏蔽层，所述金属屏蔽层将至少两个所述谐振器与外部空间隔离，用于屏蔽外部电磁波信号。
5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述金属屏蔽层包括所述第一金属电容极板和所述第二金属电容极板。
6.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于，还包括第三开槽，所述第三开槽至少部分位于至少两个所述谐振器之间，所述金属电极层所在层之中，所述第三开槽内填充第一介质；
其中，电磁波穿透所述第一介质导致的电磁波损耗低于电磁波穿透半导体导致的电磁波损耗。
7.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述金属电极层与所述第一N型半导体层或所述第二N型半导体层键合连接。
8.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一P型半导体层与所述第二P型半导体层关于所述金属电极层对称设置，所述第一N型半导体层与所述第二N型半导体层关于所述金属电极层对称设置，所述第一金属电容极板与 所述第二金属电容极板关于所述金属电极层对称设置。
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