[发明专利]一种偏光片用抗静电光学离型膜及其制备方法

权利要求书

1.一种偏光片用抗静电光学离型膜，自上而下包括离型层、基材层和抗静电层，其特征在于，所述离型层包括以下重量份的组分：乙烯基聚二甲基硅氧烷20-40份，含氢聚硅氧烷3-8份，锚固剂0.5-1.5份，化学改性无机粒子0.05-0.2份，氟改性有机硅树脂3-8份，铂催化剂2-4份，有机溶剂130份；所述改性无机粒子的径粒范围为50-400nm；所述化学改性无机粒子为硅烷偶联剂KH-570改性的二氧化硅、氧化铝、二氧化钛中的一种或者多种。

2.如权利要求1所述的偏光片用抗静电光学离型膜，其特征在于：所述离型层包括以下重量份的组分：乙烯基聚二甲基硅氧烷30份，含氢聚硅氧烷5份，锚固剂1份，化学改性无机粒子0.1份，氟改性有机硅树脂5份，铂催化剂3份，有机溶剂130份；所述化学改性无机粒子的径粒为200nm；所述化学改性无机粒子为硅烷偶联剂KH-570改性的二氧化硅。

3.如权利要求1或2所述的偏光片用抗静电光学离型膜，其特征在于，所述氟改性有机硅树脂制备方法如下：室温下将20份,1,3,5-三(3,3,3-三氟丙基)-1,3,5-三甲基环三硅氧烷和3份碳酸钙，投入搅拌釜中，升温至90-130℃，搅拌均匀，抽真空除去体系水分，冷却至室温得到基础胶料；然后将所述基础胶料、8份甲基三甲氧基硅烷和6份N-(β-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷投入在高速分散搅拌机中，搅拌时间10-30min，搅拌速率为2000-3500r/min；接着通氮气，搅拌下加入0.01份二硫醇甲基锡，搅拌时间30-50min，搅拌速率为1500-2500r/min，抽真空脱气泡，最后得到所述氟改性有机硅树脂。

4.如权利要求1或2所述的偏光片用抗静电光学离型膜，其特征在于：所述含氢聚硅氧烷为甲基含氢聚硅氧烷、乙基含氢聚硅氧烷、苯基含氢聚硅氧烷中的一种或者多种。

5.如权利要求1或2所述的偏光片用抗静电光学离型膜，其特征在于：所述锚固剂为硅烷偶联剂KH-560。

6.如权利要求1或2所述的偏光片用抗静电光学离型膜，其特征在于：所述铂催化剂为质量分数为5％的Karstedt催化剂。

7.如权利要求1或2所述的偏光片用抗静电光学离型膜，其特征在于：所述有机溶剂包括甲苯和乙酸乙酯，甲苯和乙酸乙酯的质量比为10:3。

8.如权利要求1或2或3所述的偏光片用抗静电光学离型膜，其特征在于：所述乙烯基聚二甲基硅氧烷的重均分子量为30-100万，所述含氢聚硅氧烷的重均分子量为1.5-2.5万。

9.一种偏光片用抗静电光学离型膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将硅烷偶联剂KH-570、粒径为50-400nm的无机粒子、乙酸乙酯按照重量份比例为1:10:100依次加入到反应釜中，在40-60℃的反应温度下，超声分散反应4-6h，经过干燥后得到化学改性无机粒子；

(2)在厚度为25-250um的基材层的背面涂布一层厚度为0.2-2um抗静电层，涂布后在90-120℃的温度下烘烤10-30s；所述抗静电层的涂料为水溶性聚噻吩体系，水溶液的固含为5％；

(3)按照权利要求1所述的配方称取原料加入搅拌釜中，进行搅拌分散20-40min，得到离型层涂料；

(4)将离型层涂料采用微凹涂布方式涂布在基材层非抗静电层的正面上，涂布厚度为5um，涂布后在90-120℃的温度下烘烤10-30s；

(5)收卷制备得到的偏光片用光学抗静电离型膜产品。

10.如权利要求9所述的偏光片用抗静电光学离型膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中无机粒子为径粒200nm的二氧化硅，反应温度为50℃，超声分散反应时间为5h；所述步骤(2)中，基材层为38um厚度的PET，抗静电层的厚度为0.5um，烘烤温度为110℃，烘烤时间为20s；所述步骤(3)中搅拌分散的时间为30min；所述步骤(4)中烘烤温度为110℃，烘烤时间为20s。