[发明专利]一种半导体制冷温控装置有效
申请号: | 202110542989.9 | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN113284825B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 华斌;周训丙 | 申请(专利权)人: | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F25B21/02;F25B49/00 |
代理公司: | 苏州企航知识产权代理事务所(普通合伙) 32354 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 制冷 温控 装置 | ||
本发明提出了一种半导体制冷温控装置,包括位于药液腔两侧的固定板,所述固定板中心设有第一热交换板,所述第一热交换板一面位于所述药液腔内,另一面上连接有半导体制冷片,所述半导体制冷片外部设有第二热交换板;所述固定板四周设有快装压力机构,所述快装压力机构用于压紧两个所述固定板,本半导体制冷温控装置是具有双向温控功能,控温精度可以控制在所需温度的±0.1℃范围内,在一些温度要求较高的制程中有较好的应用,另外,为了保证散热效果,通过不断的将两个固定板压紧,能够减少各个换热板与半导体制冷片之间的紧密度,保证降温效果,且防止传热不紧密影响检测温度。
技术领域
本发明涉及半导体制程药液温控领域,尤其涉及半导体制冷温控装置。
背景技术
蚀刻是半导体生产中的一个重要环节,通常所指蚀刻也称光化学蚀刻,指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。在蚀刻完成后,需要对半导体晶圆进行清洗,清洗过程中药液温度会随之发生升高变化,为使得药液的温度降低,同时保证新药液添加后的温度迅速降低,通常会在药液槽中设置冷却机构,目前使用的多为制冷型冰水机,槽体内部冷却盘管控温,体积大,能耗大,控温精度差,基本控制在±0.5℃。现存冰水机多为风冷式冰水机和水冷式冰水机,需要定期进行维护保养,且多为单向控温,每次降温到低于预设温度后,就需要停止供冷,等温度慢慢回升,这样温控范围不可控,针对一些温控精度要求较高的制程时难以把控,另外,针对现有的设备中,由于药液与中间的导热部件之间,以及导热部件相互之间接触不够紧密使得温度散热不均匀,且散热效率低,大大影响制冷效果,且内部结构老化须更换时,拆卸设备较为繁琐。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提出了一种半导体制冷温控装置,包括位于药液腔两侧的固定板,所述固定板中心设有第一热交换板,所述第一热交换板一面位于所述药液腔内,另一面上连接有半导体制冷片,所述半导体制冷片外部设有第二热交换板;所述固定板四周设有快装压力机构,所述快装压力机构用于压紧两个所述固定板。
优选的,所述第一热交换板包括第一板体,所述第一板体位于所述药液腔的一面上贴覆PFA膜。
优选的,所述第二热交换板包括两组第二板体,所述第二板体之间设有S形排列的冷水管。
优选的,所述快装压力机构包括若干连接钉,相邻的所述连接钉端部通过连杆连接,所述连接钉头部设置有环形的第一压力囊,所述第一压力囊与制冷系统的冷水泵连接;所述连接钉另一端设有第二压力囊,所述第二压力囊上设有内螺纹片,所述内螺纹片旋于所述螺杆上,且所述第二压力囊位于所述内螺纹片和固定板之间。
优选的,所述第一压力囊和第二压力囊由橡胶制成,所述橡胶外部涂覆有聚脲,且所述第一压力囊之间通过连接管连接,所述第二压力囊之间通过连接管连接。
优选的,所述连接杆与所述连接钉端部通过喷涂聚脲包覆连接。
优选的,所述固定板之间设有支撑钣金。
优选的,所述固定板下部通过连接件固定有安装板。
优选的,所述第一热交换板和第二热交换板与半导体制冷片之间的间隙内填充有导热硅胶。
本发明提出的半导体制冷温控装置有以下有益效果:本半导体制冷温控装置具有双向温控功能,控温精度可以控制在所需温度的±0.1℃范围内,在一些温度要求较高的制程中有较好的应用,另外,为了保证散热效果,通过不断的将两个固定板压紧,能够减少各个换热板与半导体制冷片之间的紧密度,保证降温效果,且防止传热不紧密影响检测温度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本发明的立体结构示意图;
图2为本发明的侧面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造