[发明专利]一种半导体制冷温控装置有效
申请号: | 202110542989.9 | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN113284825B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 华斌;周训丙 | 申请(专利权)人: | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F25B21/02;F25B49/00 |
代理公司: | 苏州企航知识产权代理事务所(普通合伙) 32354 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 制冷 温控 装置 | ||
1.一种半导体制冷温控装置,其特征在于,包括位于药液腔两侧的固定板,所述固定板中心设有第一热交换板,所述第一热交换板一面位于所述药液腔内,另一面上连接有半导体制冷片,所述半导体制冷片外部设有第二热交换板;所述固定板四周设有快装压力机构,所述快装压力机构用于压紧两个所述固定板;所述快装压力机构包括若干连接钉,相邻的所述连接钉端部通过连杆连接,所述连接钉头部设置有环形的第一压力囊,所述第一压力囊与制冷系统的冷水泵连接;所述连接钉另一端设有第二压力囊,所述第二压力囊上设有内螺纹片,所述内螺纹片旋于螺杆上,且所述第二压力囊位于所述内螺纹片和固定板之间;冷水泵的分流管连接至第二压力囊和第一压力囊上。
2.根据权利要求1所述的半导体制冷温控装置,其特征在于,所述第一热交换板包括第一板体,所述第一板体位于所述药液腔的一面上贴覆PFA膜。
3.根据权利要求1所述的半导体制冷温控装置,其特征在于,所述第二热交换板包括两组第二板体,所述第二板体之间设有S形排列的冷水管。
4.根据权利要求1所述的半导体制冷温控装置,其特征在于,所述第一压力囊和第二压力囊由橡胶制成,所述橡胶外部涂覆有聚脲,且所述第一压力囊之间通过连接管连接,所述第二压力囊之间通过连接管连接。
5.根据权利要求1所述的半导体制冷温控装置,其特征在于,所述连杆与所述连接钉端部通过喷涂聚脲包覆连接。
6.根据权利要求1所述的半导体制冷温控装置,其特征在于,所述固定板之间设有支撑钣金。
7.根据权利要求1所述的半导体制冷温控装置,其特征在于,所述固定板下部通过连接件固定有安装板。
8.根据权利要求1所述的半导体制冷温控装置,其特征在于,所述第一热交换板和第二热交换板与半导体制冷片之间的间隙内填充有导热硅胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于智程半导体设备科技(昆山)有限公司,未经智程半导体设备科技(昆山)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110542989.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:硒源蒸发活化处理设备
- 下一篇:一种生斑铜走银的工艺方法及熔炼装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造