[发明专利]双面散热的IGBT器件

说明书

本申请公开了一种双面散热的IGBT器件。包括：IGBT模块、第一导热板、第二导热板、散热外壳，IGBT模块包括PCB和至少一个IGBT单元，PCB的一侧面设置有至少一个IGBT单元，第一导热板连接PCB的另一侧面，第一导热板用于传导PCB的热量，第二导热板接触每一个IGBT单元，第二导热板用于传导每一个IGBT单元的热量，散热外壳接触第一导热板和第二导热板，散热外壳用于传导第一导热板和第二导热板的热量，散热外壳为空心结构，散热外壳用于通过水冷的方式散热。通过在IGBT模块的两侧面都加装导热板和使用散热外壳进行水冷散热，使IGBT模块产生的热量可以均匀分布，且提高散热效率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种双面散热的IGBT器件。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是金属-氧化物半导体场效应晶体管和快速二极管组成的复合全控性电压驱动式功率半导体器件，具备开关速度快、输入阻抗高、反向恢复时间短、热稳定性好、通态压降低、高电压等特点，广泛应用于风能、太阳能、轨道交通、电动汽车、智能电网、家电变频领域等。相关技术中的封装结构存在散热不均匀，元器件热堆积导致烧毁的现象。

发明内容

本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种双面散热的IGBT器件，能够使IGBT芯片的散热更加均匀，提高散热效率。

根据本申请的第一方面实施例的双面散热的IGBT器件，包括：IGBT模块、第一导热板、第二导热板、散热外壳，所述IGBT模块包括PCB和至少一个IGBT单元，所述PCB的一侧面设置有至少一个所述IGBT单元，所述第一导热板连接所述PCB的另一侧面，所述第一导热板用于传导所述PCB的热量，所述第二导热板接触每一个所述IGBT单元，所述第二导热板用于传导每一个所述IGBT单元的热量，所述散热外壳连接所述第一导热板和所述第二导热板，所述散热外壳用于传导所述第一导热板和所述第二导热板的热量，所述散热外壳为空心结构，所述散热外壳用于通过水冷的方式散热。

根据本申请实施例的双面散热的IGBT器件，至少具有如下有益效果：通过在IGBT模块的两侧都加装导热板和使用散热外壳进行水冷散热，使IGBT模块产生的热量可以均匀分布，且提高散热效率。

根据本申请的一些实施例，所述第一导热板和所述第二导热板均为VC均热板。

根据本申请的一些实施例，还包括密封框，所述密封框围绕所述IGBT模块。

根据本申请的一些实施例，所述密封框通过树脂连接所述第一导热板和所述第二导热板。

根据本申请的一些实施例，所述第一导热板与所述PCB通过低温铜焊料层连接。

根据本申请的一些实施例，所述第二导热板通过硅脂层接触每一个所述IGBT单元。

根据本申请的一些实施例，每一个所述IGBT单元包括：IGBT芯片和二极管，每一个所述IGBT芯片和每一个所述二极管设置在所述PCB的一侧面。

根据本申请的一些实施例，每一个所述IGBT单元通过树脂与所述PCB固定。

根据本申请的一些实施例，全部所述IGBT单元在所述PCB的一侧面上均匀分布。

根据本申请的一些实施例，所述散热外壳包括：第一壳体和第二壳体，所述第一壳体和所述第二壳体之间通过连接管连接。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

下面结合附图和实施例对本申请做进一步的说明，其中：

图1为本申请实施例IGBT器件的示意图；