[发明专利]半导体封装件及制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

封装基板；

内插件，所述内插件设置在所述封装基板的上表面上；

第一半导体芯片和堆叠的多个第二半导体芯片，所述第一半导体芯片和所述堆叠的多个第二半导体芯片设置在所述内插件的上表面上；以及

模制构件，所述模制构件围绕所述第一半导体芯片的侧表面和所述堆叠的多个第二半导体芯片的侧表面，

其中，所述模制构件包括突出侧壁，所述突出侧壁包括上端、下端和外侧表面，所述上端水平地向外延伸并且从所述模制构件的上表面向下垂直地偏移第一距离，所述下端水平地向外延伸并且从所述模制构件的下表面向上垂直地偏移第二距离，所述外侧表面在所述上端与所述下端之间垂直地延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述突出侧壁的垂直高度等于所述第一距离、所述第二距离和所述外侧表面的垂直高度之和。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述突出侧壁的所述垂直高度在800μm至900μm的范围内，所述第一距离为至少20μm，并且所述第二距离为至少20μm。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述模制构件完全包围所述第一半导体芯片和所述堆叠的多个第二半导体芯片的组合，并且介于所述第一半导体芯片与所述堆叠的多个第二半导体芯片之间。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片是中央处理单元或图形处理单元，并且每个第二半导体芯片是高带宽存储器芯片。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述突出侧壁的所述上端从所述堆叠的多个第二半导体芯片的所述侧表面水平地延伸第一宽度，并且所述突出侧壁的所述下端从所述堆叠的多个第二半导体芯片的所述侧表面水平地延伸第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述模制构件包括环氧模制化合物。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述内插件包括连接通路，所述连接通路将所述第一半导体芯片和所述堆叠的多个第二半导体芯片与位于所述封装基板的所述上表面上的至少一个导电图案电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第一导电凸块，所述第一导电凸块介于所述内插件与所述第一半导体芯片之间；以及

第二导电凸块，所述第二导电凸块介于所述内插件与所述堆叠的多个第二半导体芯片之间。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

下导电凸块，所述下导电凸块设置在所述内插件的下表面上；

底部填充层，所述底部填充层介于所述封装基板的所述上表面与所述内插件的所述下表面之间，以实质上包围每个所述下导电凸块；以及

外部端子，所述外部端子安装在所述封装基板的下表面上。

11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

封装基板；

内插件，所述内插件设置在所述封装基板的上表面上；

半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述内插件的上表面上；以及

模制构件，所述模制构件包括上表面、上部、下部和突出侧壁，其中，所述模制构件围绕所述半导体芯片的侧表面被模制；

其中，所述突出侧壁包括从所述模制构件的所述上表面向下垂直地偏移的上端，并且所述突出侧壁的水平延伸宽度大于所述模制构件的所述上部的水平延伸宽度。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述模制构件的所述下部的水平延伸宽度大于所述模制构件的所述上部的所述水平延伸宽度并且小于所述突出侧壁的所述水平延伸宽度。