[发明专利]包括非易失性存储器装置的存储器系统及其擦除方法

说明书

提供了包括非易失性存储器装置的存储器系统及其擦除方法。一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储器系统的故障检测方法，所述故障检测方法包括：由存储器控制器对连接到传输晶体管的字线的擦除的数量进行计数；当擦除的数量达到参考值时，由存储器控制器发出第一擦除命令；响应于第一擦除命令，由非易失性存储器装置施加第一电压，第一电压使得传输晶体管的栅极‑源极电位差具有第一值；在施加第一电压之后，由存储器控制器检测所述字线中的漏电流；以及当由漏电流引起的漏电压大于第一阈值时，由存储器控制器将所述字线确定为故障。

本申请要求于2020年8月10日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0100101号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种存储器系统，并且更具体地，涉及一种存储器系统的擦除方法，该存储器系统包括其中存在未断开的串的非易失性存储器装置和存储器控制器。

背景技术

随着在电子装置中处理的数据的大小增加，更多的存储被需要。为了适应大的数据，可以使用具有高集成度的三维存储器装置。在三维存储器装置中，由于工艺错误，可能存在未断开的串。由于存储在未断开的串中的数据不是高度可靠的，因此可以开发用于检测未断开的串的技术。

发明内容

根据发明构思的实施例，提供了一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储器系统的故障检测方法，所述故障检测方法包括：由存储器控制器对连接到传输晶体管的字线的擦除的数量进行计数；当擦除的数量达到参考值时，由存储器控制器发出第一擦除命令；响应于第一擦除命令，由非易失性存储器装置施加第一电压，第一电压使得传输晶体管的栅极-源极电位差具有第一值；在施加第一电压之后，由存储器控制器检测字线中的漏电流；以及当由漏电流引起的漏电压大于第一阈值时，由存储器控制器将所述字线确定为故障。

根据发明构思的实施例，提供了一种非易失性存储器装置的擦除方法，所述擦除方法包括：接收擦除命令；基于擦除命令在第一擦除模式下施加第一电压，第一电压使得连接到字线的传输晶体管的栅极-源极电位差具有第一值；当传输晶体管截止时，检测到所述字线上的漏电流；以及在第二擦除模式下，当第二电压被施加时擦除连接到所述字线的存储器块，第二电压使得所述栅极-源极电位差具有比第一值大的第二值。

根据发明构思的实施例，提供了一种存储器系统，包括：非易失性存储器装置；以及存储器控制器，被配置为控制非易失性存储器装置，其中，非易失性存储器装置包括：存储器单元区域，包括第一金属垫；外围区域，包括第二金属垫，外围区域通过第一金属垫和第二金属垫连接到存储器单元区域；存储器单元阵列，包括在与基底基本垂直的方向上形成多个串的多个存储器单元，存储器单元阵列包括在存储器单元区域中；行解码器，包括传输晶体管，传输晶体管被配置为对连接到所述多个存储器单元的多条字线进行开关，行解码器包括在外围区域中并且被配置为通过所述多条字线选择包括在存储器单元阵列中的存储器块；电压生成器，包括在外围区域中并且被配置为生成提供给存储器单元阵列和传输晶体管的多个电压；以及控制逻辑，包括在外围区域中并且被配置为基于第一擦除命令减小传输晶体管的栅极-源极电位差以检测所述存储器块中的字线的漏电流，其中，存储器控制器被配置为：对所述存储器块的擦除的数量进行计数，当擦除的数量达到参考值时发出第一擦除命令，以及检测所述漏电流。

根据发明构思的实施例，提供了一种用于检测存储器单元阵列中的有缺陷字线的方法，所述方法包括：确定连接到传输晶体管的字线的擦除的数量等于或已超过第一值；响应于第一擦除命令，施加电压，使得传输晶体管的栅极-源极电位差具有第一值；确定传输晶体管是截止还是导通；以及当传输晶体管被确定为截止时，确定字线有缺陷。

附图说明

通过参照附图详细描述发明构思的实施例，将更清楚地理解发明构思，在附图中：

图1是根据发明构思的实施例的存储器系统的框图；

图2是根据发明构思的实施例的非易失性存储器装置的框图；