[发明专利]包括非易失性存储器装置的存储器系统及其擦除方法在审
申请号: | 202110534260.7 | 申请日: | 2021-05-17 |
公开(公告)号: | CN114078544A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 孙铭浩;郑原宅;南釜一 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C29/50 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 史泉;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 非易失性存储器 装置 存储器 系统 及其 擦除 方法 | ||
1.一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储器系统的故障检测方法,所述故障检测方法包括:
由存储器控制器对连接到传输晶体管的字线的擦除的数量进行计数;
当擦除的数量达到参考值时,由存储器控制器发出第一擦除命令;
响应于第一擦除命令,由非易失性存储器装置施加第一电压,第一电压使得传输晶体管的栅极-源极电位差具有第一值;
在施加第一电压之后,由存储器控制器检测所述字线中的漏电流;以及
当由漏电流引起的漏电压大于第一阈值时,由存储器控制器将所述字线确定为故障。
2.如权利要求1所述的故障检测方法,其中,施加第一电压的步骤包括:增大传输晶体管的源极端子电压。
3.如权利要求1所述的故障检测方法,其中,施加第一电压的步骤包括:减小传输晶体管的栅极端子电压。
4.如权利要求1所述的故障检测方法,还包括:
由非易失性存储器装置施加第二电压,第二电压使得栅极-源极电位差具有比第一值大的第二值;以及
由非易失性存储器装置对连接到所述字线的存储器块执行擦除操作。
5.如权利要求1所述的故障检测方法,其中,将所述字线确定为故障的步骤包括:
确定传输晶体管被截止;以及
将连接到被截止的传输晶体管的字线标识为故障字线。
6.如权利要求1所述的故障检测方法,还包括:
在擦除的数量达到参考值之后,将虚设电压施加到连接到所述字线的存储器单元;以及
将编程电压进行缓冲。
7.如权利要求1所述的故障检测方法,其中,检测漏电流的步骤包括:确定所述栅极-源极电位差与传输晶体管的阈值电压之间的差小于或等于漏电压。
8.如权利要求1至权利要求7中的任意一项所述的故障检测方法,其中,第一阈值是过驱动电压。
9.一种非易失性存储器装置的擦除方法,所述擦除方法包括:
接收擦除命令;
基于擦除命令在第一擦除模式下施加第一电压,第一电压使得连接到字线的传输晶体管的栅极-源极电位差具有第一值;
当传输晶体管截止时,确定检测到所述字线上的漏电流;以及
在第二擦除模式下,当第二电压被施加时擦除连接到所述字线的存储器块,第二电压使得所述栅极-源极电位差具有比第一值大的第二值。
10.如权利要求9所述的擦除方法,其中,施加第一电压的步骤还包括:增大传输晶体管的源极端子电压。
11.如权利要求9所述的擦除方法,其中,施加第一电压的步骤还包括:减小传输晶体管的栅极端子电压。
12.如权利要求9所述的擦除方法,其中,通过擦除命令进入第一擦除模式和第二擦除模式。
13.如权利要求9所述的擦除方法,其中,确定检测到漏电流的步骤包括:将施加到存储器单元的擦除电压保持在第一电压电平,并且
擦除存储器块的步骤包括:将擦除电压保持在与第一电压电平不同的第二电压电平。
14.如权利要求9所述的擦除方法,其中,确定检测到漏电流的步骤还包括:确认传输晶体管的源极电压高于第一验证电压电平。
15.如权利要求9所述的擦除方法,其中,检测到漏电流的步骤包括:
确认传输晶体管被截止;以及
将连接到被截止的传输晶体管的字线标识为故障字线。
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