[发明专利]一种芯片测试方法、装置、终端设备及存储介质

权利要求书

1.一种芯片测试方法，其特征在于，包括：

获取控制指令，根据所述控制指令以第一预设温度获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压，以第二预设温度获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压；

根据所述第一最大基准电压和所述第一最小基准电压以第一预设公式计算所述芯片的温度校准值，所述第一预设公式如下：

其中，R为所述温度校准值，所述温度校准值用于对所述芯片基准电压的温度特性进行校准；V0为第一预设温度下的芯片的第一最大基准电压；V1为第一预设温度下的芯片的第一最小基准电压；V2为第二预设温度下的芯片的第一最大基准电压；V3为第二预设温度下的芯片的第一最小基准电压；

将所述温度校准值写入所述芯片的存储器中，对所述芯片进行测试；

所述根据所述控制指令以第一预设温度获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压，以第二预设温度获取芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压，包括：

根据所述控制指令将第一寄存器值和第二寄存器值写入所述芯片的寄存器中；

利用场效应管以第一预设温度分别获取所述芯片输出的所述第一寄存器值和所述第二寄存器值对应的基准电压，其中，所述第一寄存器值用于确定所述最大基准电压，所述第二寄存器值用于确定最小基准电压；

利用场效应管以第二预设温度分别获取所述芯片输出的所述第一寄存器值和所述第二寄存器值对应的基准电压。

2.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，在根据所述第一最大基准电压和所述第一最小基准电压以第一预设公式计算所述芯片的温度校准值之前，包括：

获取晶圆的晶圆信息，根据所述晶圆信息将所述第一预设温度对应的晶圆上各个芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压以预设格式进行存储。

3.如权利要求2所述的芯片测试方法，其特征在于，在根据所述晶圆信息将所述第一预设温度对应的晶圆上各个芯片的第一最大基准电压和第一最小基准电压以预设格式进行存储之前，包括：

将所述晶圆上各个不同位置芯片的最大基准电压和最小基准电压转换成数据图形；

当所述数据图形上存在缺失时，根据缺失位置确定所述晶圆上存在数据异常的芯片。

4.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，在对所述芯片进行测试之前，包括：

将所述温度校准值写入所述芯片的寄存器中，以第三预设温度获取所述芯片的第二最大基准电压和第二最小基准电压；

根据所述第二最大基准电压和所述第二最小基准电压计算所述芯片的绝对精度校准值，其中，所述绝对精度校准值用于对所述芯片基准电压的绝对精度进行校准；

将所述绝对精度校准值写入所述芯片的存储器中。

5.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，在对所述芯片进行测试之前，包括：

根据所述控制指令将预设值写入所述芯片的寄存器中，对所述芯片的时钟频率信号进行测量；

确定所述时钟频率信号所处范围对应的频率校准值，其中，所述频率校准值用于对所述芯片的时钟振荡器频率进行校准；

将所述频率校准值写入所述芯片的存储器中。

6.如权利要求1至5任一项所述的芯片测试方法，其特征在于，在将所述温度校准值写入所述芯片的存储器中之后，包括：

获取所述芯片的存储器预设位置的参数值；

当所述参数值与所述温度校准值一致时，确定所述温度校准值成功写入。