[发明专利]阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板，阵列基板制备方法包括：在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜，其中，第一表面为基板中背向基底的表面，无机薄膜为无机薄膜或者氮化硅薄膜；在无机薄膜上形成像素定义层，并去除非开口区域中的过孔区域处的像素定义层；通过湿法刻蚀工艺蚀刻过孔区域处的无机薄膜，以使无机薄膜在像素定义层边缘发生侧向侵蚀现象；蒸镀有机发光二极管层；在蒸镀形成有机发光二极管层后，蒸镀阵列基板的阴极。本发明通过工艺将有机发光二极管的阴极与辅助电级接触，实现了辅助阴极，可以改善阴极电压分布不均，以提高显示面板亮度均一性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板。

背景技术

对于顶发光的阵列基板，由于阴极较薄，会导致阴极电阻增加，进而使得阴极电压分布不均，导致显示面板亮度均一性低。

发明内容

本申请的主要目的是提出一种阵列基板、种阵列基板制备方法及显示面板，旨在解决现有技术中，显示面板亮度均一性低的技术问题。

为实现上述目的，本申请提出的一种阵列基板制备方法，所述阵列基板制备方法包括：

在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜，其中，所述第一表面为所述基板中背向基底的表面，所述无机薄膜为二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜；

在所述无机薄膜上形成像素定义层，并去除所述非开口区域中的过孔区域处的所述像素定义层；

通过湿法刻蚀工艺蚀刻所述过孔区域处的无机薄膜，以使所述无机薄膜在所述像素定义层边缘发生侧向侵蚀现象；

蒸镀有机发光二极管层；

在蒸镀形成所述有机发光二极管层后，蒸镀阵列基板的阴极。

可选地，所述蒸镀有机发光二极管层的步骤包括：

以垂直所述基板的第一表面的方向蒸镀所述机发光二极管层。

可选的，所述蒸镀阵列基板的阴极的步骤包括：

在所述基板的第一表面的上，以预设角度蒸镀所述阵列基板的阴极。

可选的，所述在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜的步骤包括：

在所述基板的第一表面沉积无机薄膜；

去除所述基板的第一表面中的开口区域的无机薄膜，以在所述基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜。

可选的，所述去除所述非开口区域中的过孔区域处的所述像素定义层的步骤包括：

对所述过孔区域处的像素定义层进行图形化处理。

可选的，所述对所述过孔区域处的像素定义层进行图形化处理的步骤包括：

对所述过孔区域处的像素定义层进行涂布、曝光、显影以及刻蚀。

可选的，所述无机薄膜的厚度区间为500～3000埃米。

可选的，所述在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜的步骤之前：

通过薄膜晶体管以及正级制程制备所述基板。

为了实现上述目的，本申请还提供一种阵列基板，所述阵列基板由以上各个步骤制备得到。

为了实现上述目的，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括以上各个步骤制备得到的阵列基板。