[发明专利]阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述阵列基板制备方法包括：

在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜，其中，所述第一表面为所述基板中背向基底的表面，所述无机薄膜为二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜；

在所述无机薄膜上形成像素定义层，并去除所述非开口区域中的过孔区域处的所述像素定义层；

通过湿法刻蚀工艺蚀刻所述过孔区域处的无机薄膜，以使所述无机薄膜在所述像素定义层边缘发生侧向侵蚀现象，其中，所述侧向侵蚀现象使得与所述过孔区域处接触的无机薄膜被去除，所以过孔区域处的部分辅助电极裸露了出来，并且，形成了第二侧刻空间；

蒸镀有机发光二极管层，其中，所述有机发光二极管层未完全覆盖所述第二侧刻空间；

在蒸镀形成所述有机发光二极管层后，蒸镀阵列基板的阴极，其中，所述阴极在所述第二侧刻空间实现与所述辅助电极的接触。

2.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述蒸镀有机发光二极管层的步骤包括：

以垂直所述基板的第一表面的方向蒸镀所述机发光二极管层。

3.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述蒸镀阵列基板的阴极的步骤包括：

在所述基板的第一表面的上，以预设角度蒸镀所述阵列基板的阴极。

4.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜的步骤包括：

在所述基板的第一表面沉积无机薄膜；

去除所述基板的第一表面中的开口区域的无机薄膜，以在所述基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜。

5.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述去除所述非开口区域中的过孔区域处的所述像素定义层的步骤包括：

对所述过孔区域处的像素定义层进行图形化处理。

6.如权利要求5所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述对所述过孔区域处的像素定义层进行图形化处理的步骤包括：

对所述过孔区域处的像素定义层进行涂布、曝光、显影以及刻蚀。

7.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述无机薄膜的厚度区间为500~3000埃米。

8.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜的步骤之前：

通过薄膜晶体管以及正级制程制备所述基板。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板根据权利要求1-8任一项所述的阵列基板制备方法制备得到。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。