[发明专利]彩膜基板、显示设备在审
申请号: | 202110530350.9 | 申请日: | 2021-05-14 |
公开(公告)号: | CN113299709A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 崔国意;高涛;王彦强;王玉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜基板 显示 设备 | ||
1.一种彩膜基板,其特征在于,包括:
基底层,具有相对设置的第一面和第二面,在所述第一面设置有多个第一凹陷部;
遮光层,设于所述第一面,至少部分所述遮光层填充于所述第一凹陷部内,且所述第一凹陷部在所述基底层上的正投影位于所述遮光层在所述基底层上的正投影内,所述遮光层设置有多个开口,所述开口贯穿至所述第一面;
彩膜层,设于所述第一面并位于所述开口内,所述彩膜层在所述基底层上的正投影与所述第一凹陷部在所述基底层上的正投影无交叠。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,在所述第一面还设置有多个第二凹陷部,至少部分所述彩膜层填充于所述第二凹陷部内,所述第二凹陷部在所述基底层上的正投影位于所述彩膜层在所述基底层上的正投影内。
3.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,相邻两个所述第一凹陷部之间连接有平面部,相邻两个所述第二凹陷部之间连接有平面部,相邻所述第一凹陷部与所述第二凹陷部之间连接有平面部,所述平面部与所述第一面共面;所述遮光层与所述彩膜层的连接处在所述基底层上的正投影位于所述平面部。
4.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,所述第一凹陷部与所述第一面平行的截面面积随着所述第一凹陷部深度的增加而减小,所述第二凹陷部与所述第一面平行的截面面积随着所述第二凹陷部深度的增加而减小。
5.根据权利要求4所述的彩膜基板,其特征在于,所述第一凹陷部和所述第二凹陷部设置为球缺结构。
6.根据权利要求1~5任意一项所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜层的折射率大于所述基底层的折射率。
7.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,一个发光单元至少与一个所述第二凹陷部相对设置。
8.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,相邻两个发光单元之间至少设置有一个所述第一凹陷部。
9.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板还包括:
平坦化层,设于所述遮光层和所述彩膜层的远离基底层的一侧。
10.一种显示设备,其特征在于,包括:权利要求1~9任意一项所述的彩膜基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的