[发明专利]半导体装置的制造方法及电力控制电路的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其具有：

工序a)，将分别内置多个PN结二极管的多个通电用半导体元件的背面连接于导体板的第1主面；

工序b)，将导体片连接于所述多个通电用半导体元件的表面；以及

工序c)，在执行了工序a)及工序b)后，在所述导体板的第2主面在具有所述多个通电用半导体元件、所述导体板及所述导体片的半导体装置的半成品的底面露出的状态下进行所述多个PN结二极管的通电试验。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其具有：

工序d)，在所述多个通电用半导体元件所包含的大于或等于两个通电用半导体元件的表面之上分别形成大于或等于两个栅极电极；

工序e)，将具有栅极电路图案的中继基板连接于所述第1主面，该栅极电路图案具有导电性；以及

工序f)，经由所述栅极电路图案将所述大于或等于两个栅极电极彼此电连接，

在执行了工序d)、工序e)及工序f)后执行工序c)。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

在工序e)中，通过烧结接合将所述中继基板连接于所述第1主面。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其具有：

工序g)，在执行了工序c)后，经由所述栅极电路图案将所述大于或等于两个栅极电极彼此重新电连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其具有：

工序h)，在所述多个通电用半导体元件所包含的大于或等于两个通电用半导体元件的表面之上分别形成大于或等于两个源极电极；

工序i)，将具有源极电路图案的中继基板连接于所述第1主面，该源极电路图案具有导电性；以及

工序j)，经由所述源极电路图案将所述大于或等于两个源极电极彼此电连接，

在执行了工序c)后执行工序j)。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

在工序i)中，通过烧结接合将所述中继基板连接于所述第1主面。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其具有：

工序k)，在所述多个通电用半导体元件所包含的大于或等于两个通电用半导体元件的表面之上分别形成大于或等于两个源极电极；

工序l)，将具有源极电路图案的中继基板连接于所述第1主面，该源极电路图案具有彼此电气独立的大于或等于两个图案且具有导电性；以及

工序m)，将所述大于或等于两个源极电极分别与所述大于或等于两个图案电连接，

在执行工序c)前执行工序m)。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其具有：

工序n)，将使所述大于或等于两个图案彼此电连接的间隔导体连接于所述源极电路图案，

在执行了工序c)后执行工序n)。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在工序a)中，通过烧结接合将所述多个通电用半导体元件的背面连接于所述第1主面，

在工序b)中，通过烧结接合将所述导体片连接于所述多个通电用半导体元件的表面。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述导体片为分别连接于所述多个通电用半导体元件的表面且彼此独立的多个导体片，

所述制造方法具有：

工序o)，在所述多个通电用半导体元件所包含的大于或等于两个通电用半导体元件的表面之上分别形成大于或等于两个源极电极，

在工序b)中，经由所述大于或等于两个源极电极将所述多个导体片所包含的大于或等于两个导体片连接于所述大于或等于两个通电用半导体元件的表面。