[发明专利]半导体装置

说明书

提供能够通过简单的结构而抑制彼此并联连接的多个半导体元件之间的寄生振荡的半导体装置。彼此并联连接的多个半导体元件(EL)包含多个第1半导体元件(EL1)以及多个第2半导体元件(EL2)。用于向多个半导体元件(EL)各自供给栅极信号的驱动电路(200)具有主电路(201)和包含第1插入电路(211)以及第2插入电路(212)的多个插入电路(210)。第1插入电路(211)被插入至主电路(201)与多个第1半导体元件(EL1)之间。第2插入电路(212)被插入至主电路(201)与多个第2半导体元件(EL2)之间。第1插入电路(211)以及所述第2插入电路(212)各自包含正向朝向主电路(201)的第1二极管(D1)和与第1二极管(D1)反向并联连接的第2二极管(D2)。

技术领域

本发明涉及半导体装置，特别地，涉及具有彼此并联连接的多个半导体元件的半导体装置。

背景技术

电力用半导体装置在多数情况下具有作为开关元件的半导体元件。例如，使用MOSFET(金属·氧化物·半导体·场效应晶体管：Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)或者IGBT(绝缘栅型双极晶体管：Insulated Gate BipolarTransistor)这样的具有栅极电极的半导体元件。特别地，面向大容量(High Power)的半导体装置大多具有彼此并联连接的开关元件。就半导体装置而言，有时由半导体元件的寄生电容以及杂散电感形成正反馈电路，其结果，产生寄生振荡，该寄生振荡与半导体元件的并联数量成正比地容易变得严重。因此，常常设置用于抑制该寄生振荡的电路。根据专利文献1(国际公开第2017/026367号)，向各半导体开关元件连接有具有二极管的平衡电阻部。

专利文献1：国际公开第2017/026367号

根据上述的现有技术，需要与彼此并联连接的半导体开关元件的数量相等数量的平衡电阻部。因此，在半导体开关元件的并联数量多的情况下，所需的二极管的数量也变多。其结果，半导体装置的结构变得复杂化。

发明内容

本发明就是为了解决以上这样的课题而提出的，其目的在于提供能够通过简单的结构而抑制彼此并联连接的多个半导体元件之间的寄生振荡的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置具有驱动电路和多个半导体元件。多个半导体元件彼此并联连接，各自具有栅极电极。多个半导体元件包含多个第1半导体元件以及多个第2半导体元件。驱动电路是用于向多个半导体元件各自的栅极电极供给栅极信号的电路。驱动电路具有主电路和多个插入电路。多个插入电路包含第1插入电路以及第2插入电路。第1插入电路被插入至主电路与多个第1半导体元件之间。第2插入电路被插入至主电路与多个第2半导体元件之间。第1插入电路以及所述第2插入电路各自包含正向朝向主电路的第1二极管和与第1二极管反向并联连接的第2二极管。

发明的效果

根据本发明涉及的半导体装置，在第1半导体元件的栅极电极相对于第2半导体元件的栅极电极而具有正电压的情况下，只要该正电压不超过第1插入电路的第1二极管的正向电压与第2插入电路的第2二极管的正向电压的合计电压，则切断从第1半导体元件向第2半导体元件的电流。相反，在第2半导体元件的栅极电极相对于第1半导体元件的栅极电极而具有正电压的情况下，只要该正电压不超过第2插入电路的第1二极管的正向电压与第1插入电路的第2二极管的正向电压的合计电压，则切断从第2半导体元件向第1半导体元件的电流。通过这些电流切断，从而在多个第1半导体元件与多个第2半导体元件之间的电压足够小的期间，寄生振荡被去除。换言之，小振幅的寄生振荡被去除。因此，也抑制了由小振幅的寄生振荡成长而产生的大振幅的寄生振荡的发生。另一方面，向各插入电路连接有多个半导体元件，因而，与半导体元件的数量相比，能够减少插入电路的数量。因此，能够使半导体装置的结构简单化。由此，能够通过简单的结构而抑制彼此并联连接的多个半导体元件之间的寄生振荡。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的例子的剖面图。