[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

本申请涉及半导体装置及其形成方法。一种半导体装置包含半导体衬底，所述半导体衬底具有包含第一部分的主表面；再分布层，其设置在所述半导体衬底的所述主表面的所述第一部分上方；绝缘层，其覆盖所述半导体衬底的所述主表面的所述第一部分和所述再分布层；以及第一聚酰亚胺膜，其覆盖所述绝缘层；其中所述聚酰亚胺膜具有基本平坦的上表面。

技术领域

本公开涉及半导体装置，且具体涉及半导体装置及其形成方法。

背景技术

例如，在诸如动态随机存取存储器(下文称为DRAM)的半导体装置中，设置在半导体装置的最上部中的再分布层是厚的，并且因此在一些情况下，反映再分布层的形状的不平坦部可以形成在形成为覆盖再分布层的上部的聚酰亚胺层的表面上。此外，在形成再分布层的区域中，在一些情况下，聚酰亚胺层的表面可以比其它区域中的聚酰亚胺层的表面高。

发明内容

本公开的一方面提供了一种半导体装置，包括：半导体衬底，其具有包含第一部分的主表面；再分布层，其部分地设置在所述半导体衬底的所述主表面的所述第一部分上；绝缘层，其覆盖所述半导体衬底的所述主表面的所述第一部分和所述再分布层；第一聚酰亚胺膜，其覆盖所述绝缘层；其中所述聚酰亚胺膜具有基本平坦的上表面。

本公开的另一方面提供了一种半导体装置，包括：再分布层，其设置在所述半导体衬底上方；接合焊盘，其设置在所述半导体衬底上方；再分布层形成区域，所述再分布层在所述再分布层形成区域处形成；芯片端部；焊盘端部区域，其布置在所述接合焊盘与所述芯片端部之间；第一聚酰亚胺膜，其设置在所述再分布层形成区域上方以覆盖所述半导体衬底和所述再分布层；以及第二聚酰亚胺膜，其设置在所述焊盘端部区域中；其中所述第一聚酰亚胺膜具有基本平坦的上表面。

本公开的另一方面提供了一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置包含半导体衬底，所述半导体衬底包含用于形成再分布层的再分布层形成区域、芯片端部、用于形成接合焊盘的焊盘形成区域、划线区域以及布置在所述焊盘形成区域与所述芯片端部之间的焊盘端部区域，所述方法包括：在所述半导体衬底和所述再分布层上方形成聚酰亚胺层；以及用光掩模曝光所述聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层包含设置在所述再分布层形成区域中的第一聚酰亚胺膜和设置在所述焊盘端部区域中的第二聚酰亚胺膜；其中所述第一聚酰亚胺膜包含具有高顶表面的第一区域和具有比所述第一区域低的低顶表面的第二区域；其中所述光掩模包含遮蔽光的遮光场、具有第一透射率的第一透射场以及具有第二透射率的第二透射场；并且其中所述遮光场、所述第一透射场和所述第二透射场对应于所述再分布层形成区域、焊盘形成区域、所述划线区域、所述第一区域和所述第二区域中的任一个。

附图说明

图1是图示根据第一实施例和第二实施例的半导体装置的示意性配置及其制造方法的图，并且是图示图3或图9之后的示范性工艺阶段中的示意性配置的一个实例的纵截面图。

图2是图示根据第一第二实施例和第二实施例的半导体装置及其制造方法的图，并且是图示示范性工艺阶段中的示意性配置的一个实例的纵截面图。

图3是图示根据第一实施例的半导体装置及其制造方法的图，是图示图2之后的示范性工艺阶段中的示意性配置的一个实例的纵截面图，并且是图示根据与半导体装置对应地设置的实施例的光掩模的示意性配置的纵截面图。

图4是图示根据第一实施例的光掩模的示意性配置的平面图布局。

图4A是图示根据第一实施例的光掩模的一部分的放大的示意性平面图。

图5是用于解释根据第一实施例的半导体装置及其制造方法的效果的图，并且是图示在不应用第一实施例的情况下的半导体装置的示意性配置的纵截面图。

图6是用于解释根据第一实施例的半导体装置及其制造方法的效果的图，并且是图示与图5相反的根据第一实施例的半导体装置的示意性配置的纵截面图。