[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体衬底，其具有包含第一部分的主表面；

再分布层，其部分地设置在所述半导体衬底的所述主表面的所述第一部分上；

绝缘层，其覆盖所述半导体衬底的所述主表面的所述第一部分和所述再分布层；以及

第一聚酰亚胺膜，其覆盖所述绝缘层；

其中所述聚酰亚胺膜具有基本平坦的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体衬底的所述主表面进一步包含与所述第一部分分离的第三部分，所述半导体装置进一步包括：

设置在所述第三部分上的第二绝缘层；以及

覆盖所述第二绝缘层的第二聚酰亚胺膜；

其中所述第一聚酰亚胺膜和所述第二聚酰亚胺膜具有基本相同的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述半导体衬底的所述主表面进一步包含在所述第一部分与所述第三部分之间的第二部分；并且

其中所述半导体衬底包括暴露在所述主表面的所述第二部分中的接合焊盘。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一聚酰亚胺膜和所述第二聚酰亚胺膜包含正型光敏聚酰亚胺树脂。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一聚酰亚胺膜和所述第二聚酰亚胺膜包含负型光敏聚酰亚胺树脂。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述再分布层包含金属。

7.一种半导体装置，其包括：

再分布层，其设置在半导体衬底上方；

接合焊盘，其设置在所述半导体衬底上方；

再分布层形成区域，所述再分布层在所述再分布层形成区域处形成；

芯片端部；

焊盘端部区域，其布置在所述接合焊盘与所述芯片端部之间；

第一聚酰亚胺膜，其设置在所述再分布层形成区域上方以覆盖所述半导体衬底和所述再分布层；以及

第二聚酰亚胺膜，其设置在所述焊盘端部区域中；

其中所述第一聚酰亚胺膜具有基本平坦的上表面。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一聚酰亚胺膜和所述第二聚酰亚胺膜具有基本相同的厚度。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一聚酰亚胺膜和所述第二聚酰亚胺膜包含正型光敏聚酰亚胺树脂。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一聚酰亚胺膜和所述第二聚酰亚胺膜包含负型光敏聚酰亚胺树脂。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述再分布层包含金属。

12.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置包含半导体衬底，所述半导体衬底包含用于形成再分布层的再分布层形成区域、芯片端部、用于形成接合焊盘的焊盘形成区域、划线区域以及布置在所述焊盘形成区域与所述芯片端部之间的焊盘端部区域，所述方法包括：

在所述半导体衬底和所述再分布层上方形成聚酰亚胺层；以及

用光掩模曝光所述聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层包含设置在所述再分布层形成区域中的第一聚酰亚胺膜和设置在所述焊盘端部区域中的第二聚酰亚胺膜；

其中所述第一聚酰亚胺膜包含具有高顶表面的第一区域和具有比所述第一区域低的低顶表面的第二区域；

其中所述光掩模包含遮蔽光的遮光场、具有第一透射率的第一透射场以及具有第二透射率的第二透射场；并且

其中所述遮光场、所述第一透射场和所述第二透射场对应于所述再分布层形成区域、焊盘形成区域、所述划线区域、所述第一区域和所述第二区域中的任一个。