[发明专利]存储器的制作方法

说明书

本发明提供一种存储器的制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决位线接触内易出现空洞或缝隙的技术问题。该制作方法包括：提供基底，基底包括核心区和外围区，核心区上设有第一阻挡层；在基底上依次层叠形成第一导电层和第一掩膜层；刻蚀核心区的第一掩膜层、第一导电层和第一阻挡层，形成第一刻蚀孔；沿第一刻蚀孔刻蚀基底，形成位线接触孔；去除核心区且位于位线接触孔周围的第一掩膜层和第一导电层；在位线接触孔内形成位线接触，位线接触背离基底的表面与第一阻挡层背离基底的表面齐平。通过去除部分第一掩膜层和第一导电层，降低了第一刻蚀孔和位线接触孔的总深度，从而降低了位线接触的形成高度，减少甚至避免位线接触内出现空洞或缝隙。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器的制作方法。

背景技术

随着存储设备技术的逐渐发展，动态随机存储器(Dynamic RandomAccessMemory，DRAM)以其较高的密度、较快的读写速度逐渐应用在各种电子设备中。动态随机存储器通常由多个存储单元构成，每个存储单元包括晶体管和电容器。晶体管的栅极与字线电连接，晶体管的源极与位线电连接，晶体管的漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。

相关技术中，制作存储器时，通常先提供基底，然后在基底上依次形成第一阻挡层、第一导电层和第一掩膜层，且第一阻挡层、第一导电层层和第一掩膜层具有暴露基底的第一刻蚀孔；之后，沿第一刻蚀孔刻蚀基底，形成位线接触孔，位线接触孔暴露基底的有源区；之后，在位线接触孔内、第一刻蚀孔内以及第一掩膜层上沉积第二导电层，位于位线接触孔内的第二导电层形成位线接触。然而，上述制作存储器的过程中，位线接触内易形成空洞或者缝隙，导致存储器的性能降低。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例提供一种存储器的制作方法，用于减少位线接触内的空洞或者缝隙，提高存储器的性能。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明实施例提供一种存储器的制作方法，其包括：提供基底，所述基底包括核心区和位于所述核心区外的外围区，所述核心区内设有多个间隔设置的有源区，所述核心区上还设有第一阻挡层；在所述基底上依次层叠形成第一导电层和第一掩膜层；刻蚀所述核心区的所述第一掩膜层、所述第一导电层和所述第一阻挡层，形成贯穿所述第一掩膜层、所述第一导电层和所述第一阻挡层的第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔与所述有源区相对；沿所述第一刻蚀孔刻蚀所述基底，形成位线接触孔，所述位线接触孔暴露所述有源区；去除所述核心区且位于所述位线接触孔周围的所述第一掩膜层和所述第一导电层，保留位于所述位线接触孔周围的所述第一阻挡层；在所述位线接触孔内形成位线接触，所述位线接触电连接所述有源区，且所述位线接触背离所述基底的表面并与所述第一阻挡层背离所述基底的表面齐平。

本发明实施例提供的存储器的制作方法具有如下优点：

本发明实施例中的存储器的制作方法包括：提供基底，基底包括核心区和位于核心区外的外围区，核心区内设有多个间隔设置的有源区，核心区上还设有第一阻挡层；在基底上依次层叠形成第一导电层和第一掩膜层；刻蚀核心区的第一掩膜层、第一导电层和第一阻挡层，形成第一刻蚀孔，第一刻蚀孔与有源区相对；沿第一刻蚀孔刻蚀基底，形成位线接触孔，位线接触孔暴露有源区；去除核心区且位于位线接触孔周围的第一掩膜层和第一导电层，保留位于位线接触孔周围的第一阻挡层；在位线接触孔内形成位线接触，位线接触电连接有源区，且位线接触背离基底的表面并与第一阻挡层背离基底的表面齐平。通过去除核心区的位线接触孔周围的第一掩膜层和第一导电层，保留的第一刻蚀孔和位线接触孔的总深度降低，后续形成位线接触时，位线接触背离基底的表面与第一阻挡层背离基底的表面齐平。相较于相关技术中位线接触与第一导电层齐平，本发明实施例中的存储器的制作方法降低了位线接触的形成高度，减少甚至避免位线接触内形成空洞或者缝隙，提高了位线接触传输电荷的能力，从而提高了存储器的性能。